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Sigma-Aldrich

Gallium arsenide

pieces, 99.999% trace metals basis

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About This Item

Fórmula linear:
GaAs
Número CAS:
1303-00-0
Peso molecular:
144.64
Número CE:
215-114-8
Número MDL:
MFCD00011017
Código UNSPSC:
12352300
ID de substância PubChem:
24859765

Ensaio

99.999% trace metals basis

forma

pieces

densidade

5.31 g/mL at 25 °C (lit.)

cadeia de caracteres SMILES

[Ga]#[As]

InChI

1S/As.Ga

chave InChI

JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N

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Pictogramas

Health hazard
GHS08

Palavra indicadora

Danger

Frases de perigo

H350,H360F,H372

Classificações de perigo

Carc. 1B - Repr. 1B - STOT RE 1

Órgãos-alvo

Respiratory system,hematopoietic system

Código de classe de armazenamento

6.1A - Combustible acute toxic Cat. 1 and 2 / very toxic hazardous materials

Classe de risco de água (WGK)

WGK 3

Ponto de fulgor (°F)

Not applicable

Ponto de fulgor (°C)

Not applicable

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Chao-Wei Hsu et al.
Nanotechnology, 23(49), 495306-495306 (2012-11-17)
GaAs is grown by metal-organic vapor-phase epitaxy on a 55 nm round-hole patterned Si substrate with SiO(2) as a mask. The threading dislocations, which are stacked on the lowest energy facet plane, move along the SiO(2) walls, reducing the number
Shih-Wei Tan et al.
PloS one, 7(11), e50681-e50681 (2012-12-12)
Characterization and modeling of metal-semiconductor-metal (MSM) GaAs diodes using to evaporate SiO₂ and Pd simultaneously as a mixture electrode (called M-MSM diodes) compared with similar to evaporate Pd as the electrode (called Pd-MSM diodes) were reported. The barrier height (φ(b))
M Baranowski et al.
Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal, 25(6), 065801-065801 (2013-01-12)
In this study we apply time resolved photoluminescence and contactless electroreflectance to study the carrier collection efficiency of a GaInNAsSb/GaAs quantum well (QW). We show that the enhancement of photoluminescence from GaInNAsSb quantum wells annealed at different temperatures originates not
I I Yakimenko et al.
Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal, 25(7), 072201-072201 (2013-01-19)
We analyze the occurrence of local magnetization and the effects of electron localization in different models of quantum point contacts (QPCs) using spin-relaxed density functional theory (DFT/LSDA) by means of numerical simulations. In the case of soft confinement potentials the
Kazuue Fujita et al.
Optics express, 20(18), 20647-20658 (2012-10-06)
Device-performances of 3.7 THz indirect-pumping quantum-cascade lasers are demonstrated in an InGaAs/InAlAs material system grown by metal-organic vapor-phase epitaxy. The lasers show a low threshold-current-density of ~420 A/cm2 and a peak output power of ~8 mW at 7 K, no
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