Pular para o conteúdo
Merck
Todas as fotos(3)

Documentos Principais

326607

Sigma-Aldrich

Indium

beads, diam. 2-5 mm, ≥99.9% trace metals basis

Faça loginpara ver os preços organizacionais e de contrato

Selecione um tamanho

10 G
R$ 803,00
50 G
R$ 2.522,00

R$ 803,00


Check Cart for Availability

Solicite uma grande encomenda

Selecione um tamanho

Alterar visualização
10 G
R$ 803,00
50 G
R$ 2.522,00

About This Item

Fórmula empírica (Notação de Hill):
In
Número CAS:
Peso molecular:
114.82
Número CE:
Número MDL:
Código UNSPSC:
12141719
ID de substância PubChem:
NACRES:
NA.23

R$ 803,00


Check Cart for Availability

Solicite uma grande encomenda

pressão de vapor

<0.01 mmHg ( 25 °C)

Ensaio

≥99.9% trace metals basis

Formulário

beads

resistividade

8.37 μΩ-cm

Diâmetro

2-5 mm

pf

156.6 °C (lit.)

densidade

7.3 g/mL at 25 °C (lit.)

cadeia de caracteres SMILES

[In]

InChI

1S/In

chave InChI

APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N

Procurando produtos similares? Visita Guia de comparação de produtos

Categorias relacionadas

Código de classe de armazenamento

13 - Non Combustible Solids

Classe de risco de água (WGK)

WGK 3

Ponto de fulgor (°F)

Not applicable

Ponto de fulgor (°C)

Not applicable

Equipamento de proteção individual

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


Escolha uma das versões mais recentes:

Certificados de análise (COA)

Lot/Batch Number

Não está vendo a versão correta?

Se precisar de uma versão específica, você pode procurar um certificado específico pelo número do lote ou da remessa.

Já possui este produto?

Encontre a documentação dos produtos que você adquiriu recentemente na biblioteca de documentos.

Visite a Biblioteca de Documentos

Os clientes também visualizaram

Slide 1 of 3

1 of 3

Indium foil, thickness 0.1&#160;mm, &#8805;99.995% trace metals basis

Sigma-Aldrich

357308

Indium

Tin powder, &lt;150&#160;&#956;m, 99.5% trace metals basis

Sigma-Aldrich

265640

Tin

Juan Zhou et al.
Chemical communications (Cambridge, England), 49(22), 2237-2239 (2013-02-12)
A reduced graphene oxide (RGO)-ZnIn(2)S(4) nanosheet composite was successfully synthesized via an in situ controlled growth process. The as-obtained RGO-ZnIn(2)S(4) composite showed excellent visible light H(2) production activity in the absence of noble metal cocatalysts.
Thirumaleshwara N Bhat et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(1), 498-503 (2013-05-08)
The thermal oxidation process of the indium nitride (InN) nanorods (NRs) was studied. The SEM studies reveal that the cracked and burst mechanism for the formation of indium oxide (In2O3) nanostructures by oxidizing the InN NRs at higher temperatures. XRD
Yongseok Kwon et al.
Organic letters, 15(4), 920-923 (2013-02-05)
This paper documents the first example of In(III)-catalyzed selective 6-exo-dig hydroarylation of o-propargylbiaryls and their subsequent double-bond migration to obtain functionalized phenanthrenes. Electron-rich biaryl substrates undergo hydroarylation more effectively, and the substrates with various types of substituents on the alkyne
Dawei Deng et al.
Physical chemistry chemical physics : PCCP, 15(14), 5078-5083 (2013-03-02)
Exploring the synthesis and biomedical applications of biocompatible quantum dots (QDs) is currently one of the fastest growing fields of nanotechnology. Hence, in this work, we present a facile approach to produce water-soluble (cadmium-free) quaternary Zn-Ag-In-S (ZAIS) QDs. Their efficient
Vahid A Akhavan et al.
ChemSusChem, 6(3), 481-486 (2013-02-13)
Thin-film photovoltaic devices (PVs) were prepared by selenization using oleylamine-capped Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) nanocrystals sintered at a high temperature (>500 °C) under Se vapor. The device performance varied significantly with [Ga]/[In+Ga] content in the nanocrystals. The highest power conversion efficiency (PCE) observed

Questions

Reviews

No rating value

Active Filters

Nossa equipe de cientistas tem experiência em todas as áreas de pesquisa, incluindo Life Sciences, ciência de materiais, síntese química, cromatografia, química analítica e muitas outras.

Entre em contato com a assistência técnica