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Graphene, monolayer film

1 cm x 1 cm on SiO₂/Si substrate, avg. no. of layers, 1

• 同義詞: 单层石墨烯片
• 分類程式碼代碼: 12352103
• NACRES: NA.23

屬性

• 產品名稱: 单层石墨烯薄膜, 1 cm x 1 cm on SiO₂/Si substrate, avg. no. of layers, 1
• 品質等級: 100
• 形狀: film
• 特點: avg. no. of layers 1
• 電阻: 600 Ω/sq
• 長度 × 寬度 × 厚度: 1 cm × 1 cm × (theoretical) 0.345 nm, monolayer graphene film; 1 cm × 1 cm × 525 μm, SiO2/Si substrate

描述

一般說明

方块电阻测量在真空室中进行，在四点结构（范德堡法，银漆接触）内注入超过 10uA的电流以确保其可重复性

石墨烯是一种独特的单原子厚度的石墨,以二维结构存在的碳的同素异形体。在所有合成技术中，石墨烯在各种基质上的化学气相沉积是大规模生产高质量石墨烯的最有前景的方法。[1][2] 沉积在介电表面上的石墨烯在石墨烯FET中可能会表现出更好的性能。可以利用牺牲层铜薄膜通过直接化学气相沉积，使石墨烯沉积在SiO₂/Si上。[3]

石墨烯膜
生长方式：CVD合成
转移方式：干净的转移方式
质量控制：光学显微镜检查 & 拉曼检查
尺寸：1 cm x 1 cm
外观（颜色）：透明
透明度：>97%
外观（形式）：薄膜
覆盖率： >95%
石墨烯层数：1
厚度（理论上）：0.345 nm
Al2O3上的FET电子迁移率：2; 000 cm2/V·s
SiO2/Si上的FET电子迁移率（预期）：4; 000 cm2/V·s
薄层电阻：600 Ohms/sq。
粒度：最大10 μm

底物
尺寸：1.25 cm x 1.25 cm
类型/掺杂剂：P/B
方向：100
生长方式：CZ
电阻率：1-30 ohmcm
厚度：525 +/- 25μm
前表面：抛光
背面：蚀刻
涂层：两面晶片均为300 nm热氧化层

應用

网络研讨会：用于多功能生物传感器的石墨烯纳米材料

安全資訊

• 象形圖: GHS08,GHS07
• 訊號詞: Danger
• 危險聲明: H319,H335,H372
• 防範說明: P260 - P264 - P271 - P280 - P305 + P351 + P338 - P314
• 危險分類: Eye Irrit. 2 - STOT RE 1 Inhalation - STOT SE 3
• 標靶器官: Lungs, Respiratory system
• 儲存類別代碼: 6.1D - Non-combustible acute toxic Cat.3 / toxic hazardous materials or hazardous materials causing chronic effects
• 水污染物質分類（WGK）: WGK 3
• 閃點（°F）: Not applicable
• 閃點（°C）: Not applicable