IDE201D
Interdigitated Chip
IDE201D
Informacje o tej pozycji
Przejdź do
material
gold/chromium electrode (Au/Cr)
description
die layer thickness 300 nm SiO2, die layer thickness 36 nm boron nitride, electrode layer thickness 60 nm gold, type 2
feature
BN/SiO2 coating
packaging
pkg of 12 diced devices
manufacturer/tradename
IDE201D
die thickness
525 μm , silicon
electrode size
10 nm , chrome
Szukasz podobnych produktów? Odwiedź Przewodnik dotyczący porównywania produktów
Powiązane kategorie
1 of 4
Ta pozycja | |||
|---|---|---|---|
| feature BN/SiO2 coating | feature - | feature - | feature BN/SiO2 coating |
| packaging pkg of 12 diced devices | packaging pkg of 12 non-diced devices | packaging pkg of 12 diced devices | packaging pkg of 12 non-diced devices |
| material gold/chromium electrode (Au/Cr) | material gold/chromium electrode (Au/Cr), silica coating (SiO2) | material gold/chromium electrode (Au/Cr), silica coating (SiO2) | material gold/chromium electrode (Au/Cr) |
| description die layer thickness 300 nm SiO2 | description die layer thickness 300 nm SiO2, electrode layer thickness 60 nm gold, type 1 | description die layer thickness 300 nm SiO2, electrode layer thickness 60 nm gold, type 2 | description die layer thickness 300 nm SiO2, die layer thickness 36 nm boron nitride, electrode layer thickness 60 nm gold, type 1 |
| manufacturer/tradename IDE201D | manufacturer/tradename IDE100 | manufacturer/tradename IDE200D | manufacturer/tradename IDE101 |
| die thickness 525 μm , silicon | die thickness 525 μm , silicon | die thickness 525 μm , silicon | die thickness 525 μm , silicon |
Wybierz jedną z najnowszych wersji:
Masz już ten produkt?
Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.
Active Filters
Nasz zespół naukowców ma doświadczenie we wszystkich obszarach badań, w tym w naukach przyrodniczych, materiałoznawstwie, syntezie chemicznej, chromatografii, analityce i wielu innych dziedzinach.
Skontaktuj się z zespołem ds. pomocy technicznej