コンテンツへスキップ
Merck
すべての画像(1)

資料

安全性情報

647764

Sigma-Aldrich

ケイ素

wafer (single side polished), <100>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm

別名:

シリコン元素

ログイン組織・契約価格を表示する
すべての画像(1)

About This Item

化学式:
Si
CAS番号:
7440-21-3
分子量:
28.09
EC Number:
231-130-8
MDL番号:
MFCD00085311
UNSPSCコード:
12352300
PubChem Substance ID:
24883547
NACRES:
NA.23

形状

crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)

含みます

boron as dopant

直径×厚み

3 in. × 0.5 mm

bp

2355 °C (lit.)

mp

1410 °C (lit.)

密度

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

半導体特性

<100>, P-type

SMILES記法

[Si]

InChI

1S/Si

InChI Key

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

類似した製品をお探しですか？ 訪問 製品比較ガイド

物性

ボルテックスによる異常なし。エッチングピッチ密度（EPD） < 100 (cm-2)。抵抗率 10-3 - 40 Ω·cm
酸素含量：<= 1～1.8 x 1018 /cm3；炭素含量：<= 5 x 1016 /cm3；ブール直径：1～8"

保管分類コード

13 - Non Combustible Solids

WGK

WGK 3

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable

個人用保護具 (PPE)

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物

名称等を表示すべき危険物及び有害物

労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物

名称等を通知すべき危険物及び有害物

Jan Code

647764-VAR:
647764-BULK:
647764-5EA:
647764-1EA:

試験成績書（COA）

製品のロット番号・バッチ番号を入力して、試験成績書（COA） を検索できます。ロット番号・バッチ番号は、製品ラベルに「Lot」または「Batch」に続いて記載されています。

以前この製品を購入いただいたことがある場合

文書ライブラリで、最近購入した製品の文書を検索できます。

文書ライブラリにアクセスする

この製品を見ている人はこちらもチェック

Slide 1 of 6

1 of 6

金被覆シリコンウエハー 99.999% (Au), layer thickness 1000&#160;Å, 99.99% (Ti)

Sigma-Aldrich

643262

金被覆シリコンウエハー

ケイ素 wafer (single side polished), &#60;111&#62;, N-type, contains phosphorus as dopant, diam. × thickness 2&#160;in. × 0.5&#160;mm

Sigma-Aldrich

647799

ケイ素

Aldrich&#174;ネガティブフォトレジストキットI

Sigma-Aldrich

654892

Aldrich®ネガティブフォトレジストキットI

ケイ素 pieces, 99.95% trace metals basis

Sigma-Aldrich

343250

ケイ素

チタン酸ストロンチウム single crystal substrate, &#60;100&#62;

Sigma-Aldrich

634689

チタン酸ストロンチウム

金 beads, 1-6&#160;mm, 99.999% trace metals basis

Sigma-Aldrich

326542

金

Chengyong Li et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(3), 2272-2275 (2013-06-13)
Mesoporous Si-C-O fibers were fabricated by air activation of a kind of carbon-rich SiC-C fibers at 600 degrees C. The SiC-C fibers were prepared from the hybrid precursor of polycarbosilane and pitch through melt-spinning, air curing and pyrolysis in nitrogen.
Bo-Soon Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3622-3626 (2013-07-19)
A subwavelength structure (SWS) was formed via a simple chemical wet etching using a gold (Au) catalyst. Single nano-sized Au particles were fabricated by metallic self-aggregation. The deposition and thermal annealing of the thin metallic film were carried out. Thermal
Youngin Jeon et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3350-3353 (2013-07-19)
Si-nanowire (NW)-array-based NOT-logic circuits were constructed on plastic substrates. The Si-NW arrays were fabricated on a Si wafer through top-down methods, including conventional photolithography and crystallographic wet etching, and transferred onto the plastic substrates. Two field-effect transistors were fabricated on
Jae Cheol Shin et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3511-3514 (2013-07-19)
We have characterized the structural properties of the ternary In(x)Ga(1-x)As nanowires (NWs) grown on silicon (Si) substrates using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Au catalyzed vapor-liquid-solid (VLS) mode was used for the NW growth. The density of the In(x)Ga(1-x)As NW
Hyunhui Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3559-3563 (2013-07-19)
Silicon sheets were fabricated by a new fabricating method, spin casting with various rotation speeds of the graphite mold. The microstructure of spin-cast silicon sheets were investigated using an electron probe microanalyzer (EPMA) and scanning electron microscope/electron backscatter diffraction/orientation image
関連する文献をすべて表示

資料

Synthesis of Melting Gels Using Mono-Substituted and Di-Substituted Alkoxysiloxanes

Hybrid organic-inorganic sol-gel materials containing silica were first called “ORMOSILs” in 1984.

一置換および二置換アルコキシシロキサンを使用した融解ゲルの合成

一置換および二置換アルコキシシロキサンから合成された融解ゲルは、生物医学、電子工学、光電子工学などへの応用が期待されています。

プロトコル

Negative Photoresist Procedure

Photoresist kit offers pre-weighed chemical components for lithographic processes, with separate etchants for various substrate choices.

ネガ型フォトレジストキットの取り扱い方法

本フォトレジストキットには、リソグラフィープロセスにおける各ステップで必要な材料が含まれています。各材料は、すぐにお使いいただけるようにあらかじめ計量されており、エッチング液については、様々な基板に適切なものをお選びいただけるように、個別に販売しています。

ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.

製品に関するお問い合わせはこちら（テクニカルサービス）