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Merck

339164

Sigma-Aldrich

ビス(シクロペンタジエニル)コバルト(II)

別名:

Cobaltocene

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About This Item

化学式:
Co(C5H5)2
CAS番号:
分子量:
189.12
EC Number:
MDL番号:
UNSPSCコード:
12352103
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

形状

powder or crystals
solid

反応適合性

core: cobalt

mp

176-180 °C (dec.) (lit.)

保管温度

2-8°C

SMILES記法

[Co].[CH]1[CH][CH][CH][CH]1.[CH]2[CH][CH][CH][CH]2

InChI

1S/2C5H5.Co/c2*1-2-4-5-3-1;/h2*1-5H;

InChI Key

PXFGMRZPRDJDEK-UHFFFAOYSA-N

関連するカテゴリー

詳細

ビス(シクロペンタジエニル)コバルト(II)は、コバルトセンとも呼ばれ、ポリマー合成、コバルトナノ材料、レドックスフロー電池の分野で広く使用されている有機金属化合物です。

アプリケーション

ビス(シクロペンタジエニル)コバルト(II)は以下の用途に使用できます:
  • 熱電変換効率の高いカプセル化カーボンナノチューブを調製するためのドーパントとして。
  • さまざまな用途に向けた酸化コバルト薄膜を製作するためのCVD前駆体として。
  • 高いエネルギー密度とエネルギー効率を実現するための、リチウムベースのレドックスフロー電池のレドックス活性アノード種として。
  • メタクリル酸メチルの制御された/“リビング”ラジカル重合の触媒として。

ピクトグラム

FlameHealth hazard

シグナルワード

Danger

危険有害性情報

危険有害性の分類

Carc. 2 - Flam. Sol. 2 - Muta. 2 - Resp. Sens. 1 - Skin Sens. 1

保管分類コード

4.1B - Flammable solid hazardous materials

WGK

WGK 3

個人用保護具 (PPE)

Eyeshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges


適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

PRTR

第一種指定化学物質

労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物

名称等を表示すべき危険物及び有害物

労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物

名称等を通知すべき危険物及び有害物

Jan Code

339164-1G:
339164-100G:
339164-500G:
339164-2G:4548173928302
339164-10G:4548173928296
339164-VAR:
339164-BULK:


試験成績書(COA)

製品のロット番号・バッチ番号を入力して、試験成績書(COA) を検索できます。ロット番号・バッチ番号は、製品ラベルに「Lot」または「Batch」に続いて記載されています。

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文書ライブラリにアクセスする

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Madeleine Diskus, et al
Chem. Vap. Deposition, 17, 135-140 (2011)
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Development of n-type cobaltocene-encapsulated carbon nanotubes with remarkable thermoelectric property
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Highly dispersed cobalt atoms were deposited on porous alumina particles using atomic layer deposition (ALD) with a CoCp2/H2 chemistry at approximately 7 wt%. H2 did not completely reduce the cyclopentadienyl organic ligands bound to deposited Co atoms at ALD reaction

資料

分子層堆積(MLD)はALDと同様に逐次の自己限定的表面反応に基づいており、有機および有機-無機ハイブリッドポリマーの精密な堆積が可能です。

Atomic layer deposition meets various needs including semiconductor device miniaturization and nanoparticle coating.

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