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Merck
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資料

安全性情報

203815

Sigma-Aldrich

酸化モリブデン(VI)

99.97% trace metals basis

別名:

三酸化モリブデン

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About This Item

化学式:
MoO3
CAS番号:
1313-27-5
分子量:
143.94
EC Number:
215-204-7
MDL番号:
MFCD00003469
UNSPSCコード:
12352303
eCl@ss:
38180807
PubChem Substance ID:
24852067
NACRES:
NA.23

アッセイ

99.97% trace metals basis

形状

powder

mp

795 °C (lit.)

アプリケーション

battery manufacturing

SMILES記法

O=[Mo](=O)=O

InChI

1S/Mo.3O

InChI Key

JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N

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詳細

三酸化モリブデンとしても知られる酸化モリブデン(VI)は、モリブデンと酸素の化合物で、近似化学式はMoO3です。通常、酸化モリブデン(VI)は白色または淡黄色の粉末ですが、高濃度の酸素空孔などの欠損があると、青や緑がかった色になることがあります。酸化モリブデン(VI)の融点は高く、2,620°Cです。化学的には、酸化モリブデン(VI)は強力な酸化剤で、反応性が高い官能基があります。結果的に、化学反応の触媒として、また他のモリブデン化合物の製造のための出発物質として使用されます。また、色素、ガラス、潤滑剤およびプラスチックに添加されます。

アプリケーション

注目すべき三元の還元モリブデンオキシド Pr4Mo9O18の固相合成に使用されています。その構造には、それまで知られていなかった Mo7、Mo13および Mo19クラスターが含まれます。新しいクラスター製品は、小さなバンドギャップ半導体です。
LAMOX高速イオン伝導体と超伝導体の前駆体です。
注目すべき三元還元酸化モリブデン、Pr4Mo9O18の固相合成に使用されます。その構造にはこれまで知られていなかったMo7、Mo13 、Mo19 クラスターが含まれています。この新しいクラスターを含む製品は、低バンドギャップ半導体です。

ピクトグラム

Health hazardExclamation mark
GHS08,GHS07

シグナルワード

Warning

危険有害性情報

H319,H335,H351

危険有害性の分類

Carc. 2 - Eye Irrit. 2 - STOT SE 3

ターゲットの組織

Respiratory system

保管分類コード

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 1

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable

個人用保護具 (PPE)

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Faceshields, Gloves

適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

PRTR

第一種指定化学物質

労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物

名称等を表示すべき危険物及び有害物

労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物

名称等を通知すべき危険物及び有害物

Jan Code

203815-BULK:
203815-VAR:
203815-25G:4548173930282
203815-5G:4548173930299

試験成績書（COA）

製品のロット番号・バッチ番号を入力して、試験成績書（COA） を検索できます。ロット番号・バッチ番号は、製品ラベルに「Lot」または「Batch」に続いて記載されています。

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The Journal of chemical physics, 134(3), 034706-034706 (2011-01-26)
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Di-Yan Wang et al.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.), 24(25), 3415-3420 (2012-06-08)
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Tortelier, J.; Gougeon, P.
Inorganic Chemistry, 37, 6229-6229 (1998)
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Jens Meyer et al.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.), 23(1), 70-73 (2010-10-27)
S W Liu et al.
Optics express, 19(5), 4513-4520 (2011-03-04)
We fabricated and demonstrated improved organic light emitting diodes (OLEDs) in a thin film architecture of indium tin oxide (ITO)/ molybdenum trioxide (MoO3) (20 nm)/N,N'-Di(naphth-2-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine (NPB) (50 nm)/ tris-(8-hydroxyquinoline) (Alq3) (70 nm)/Mg:Ag (200 nm) using an oblique angle deposition technique
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