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Sigma-Aldrich

Resolve-Al La

99%

别名:

La(tmhd)3, 三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)镧

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About This Item

线性分子式:
La(OCC(CH3)3CHCOC(CH3)3)3
CAS号:
14319-13-2
分子量:
688.71
MDL號碼:
MFCD00010466
分類程式碼代碼:
12142201
PubChem物質ID:
24854230
NACRES:
NA.21
化驗:
99%
bp:
370 °C (lit.)

化驗

99%

形狀

powder or crystals

bp

370 °C (lit.)

mp

128-131 °C (lit.)

SMILES 字串

CC(C)(C)C(=O)\C=C(/O[Yb](O\C(=C/C(=O)C(C)(C)C)C(C)(C)C)O\C(=C/C(=O)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)(C)C

InChI

1S/3C11H20O2.La/c3*1-10(2,3)8(12)7-9(13)11(4,5)6;/h3*7,12H,1-6H3;/q;;;+3/p-3/b3*8-7-;

InChI 密鑰

IXHLTRHDDMSNAP-LWTKGLMZSA-K

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法律資訊

儲存類別代碼

11 - Combustible Solids

水污染物質分類（WGK）

WGK 3

閃點（°F）

Not applicable

閃點（°C）

Not applicable

個人防護裝備

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

历史批次信息供参考:

分析证书(COA)

Lot/Batch Number
MKAA3317
09209EB
08516MZ
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MOCVD of lanthanum oxides from La (tmhd)3 and La (tmod)3 precursors: A thermal and kinetic investigation.
Bedoya C, et al.
Chem. Vap. Deposition, 12(1), 46-53 (2006)
Structural and electrical properties of a La2O3 thin film as a gate dielectric.
Jun JH, et al.
The Journal of the Korean Physical Society, 11(6) (2002)
Study on the precursors for La2O3 thin films deposited on silicon substrate.
Jun J, et al.
Journal of Materials Science Letters, 21(23), 1847-1849 (2002)

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