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Sigma-Aldrich

Silicon tetraacetate

98%

Synonyme(s) :

Tetraacetoxysilane

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About This Item

Formule linéaire :
Si(OCOCH3)4
Numéro CAS:
562-90-3
Poids moléculaire :
264.26
Numéro Beilstein :
994868
Numéro CE :
209-239-7
Numéro MDL:
MFCD00026184
Code UNSPSC :
12352100
ID de substance PubChem :
24861298
Nomenclature NACRES :
NA.22

Densité de vapeur

>1 (vs air)

Niveau de qualité

200

Pureté

98%

Point d'ébullition

148 °C/5 mmHg (lit.)

Pf

111-115 °C (lit.)

Température de stockage

−20°C

Chaîne SMILES 

CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)OC(C)=O

InChI

1S/C8H12O8Si/c1-5(9)13-17(14-6(2)10,15-7(3)11)16-8(4)12/h1-4H3

Clé InChI

YZVRVDPMGYFCGL-UHFFFAOYSA-N

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Description générale

Silicon tetraacetate is an alternative to silicon hydride and alkoxide for low-temperature SiO2 production. Silicon tetraacetate reacts with ethanol in absence of water to form silica gel and ethyl acetate. Silicon tetraacetate is reported as a sol-gel precursor.

Application

Silicon tetraacetate may be used in the preparation of silicon dioxide thin films by a direct photochemical vapor deposition method. It may be used as starting material in the synthesis of silicon complexes with monofunctional bidentate Schiff bases.

Pictogrammes

Corrosion
GHS05

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

H314

Classification des risques

Skin Corr. 1B

Code de la classe de stockage

8A - Combustible corrosive hazardous materials

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges

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Certificats d'analyse (COA)

Lot/Batch Number
BCCK5711
BCCK2486
BCCG5363
BCCF7513
BCCC4449

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Silicon tetraacetate as a sol-gel precursor.
Coltrain BK, et al.
Journal of Sol-Gel Science and Technology, 3(2), 83-90 (1994)
Synthesis of some ketimine derivatives of silicon (IV).
Singh RV and Tandon JP.
J. Prakt. Chem., 321(1), 151-158 (1979)
Silicon dioxide thin films prepared by chemical vapor deposition from silicon tetraacetate.
Maruyama T and Shionoya J.
Jpn J. App. Phys., Part I, 28(12A), L2253-L2253 (1989)

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