Přejít k obsahu
Merck
Všechny fotografie(1)

Hlavní dokumenty

Zobrazit celou dokumentaci

357286

Sigma-Aldrich

Indium

foil, thickness 0.5 mm, 99.99% trace metals basis

Synonyma:

Indium element

Přihlásitk zobrazení cen stanovených pro organizaci a smluvních cen
Všechny fotografie(1)

About This Item

Empirický vzorec (Hillův zápis):
In
Číslo CAS:
7440-74-6
Molekulová hmotnost:
114.82
EC Number:
231-180-0
MDL number:
MFCD00134048
UNSPSC Code:
12141719
PubChem Substance ID:
24861901
NACRES:
NA.23

vapor pressure

<0.01 mmHg ( 25 °C)

assay

99.99% trace metals basis

form

foil

resistivity

8.37 μΩ-cm

thickness

0.5 mm

mp

156.6 °C (lit.)

density

7.3 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES string

[In]

InChI

1S/In

InChI key

APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N

Hledáte podobné produkty? Navštivte Průvodce porovnáváním produktů

Quantity

9.2 g = 50 × 50 mm; 36.8 g = 100 × 100 mm

pictograms

Health hazard
GHS08

signalword

Danger

hcodes

H372

Hazard Classifications

STOT RE 1 Inhalation

target_organs

Lungs

Storage Class

6.1C - Combustible acute toxic Cat.3 / toxic compounds or compounds which causing chronic effects

wgk_germany

WGK 1

flash_point_f

Not applicable

flash_point_c

Not applicable

ppe

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves

Vyberte jednu z posledních verzí:

Osvědčení o analýze (COA)

Lot/Batch Number
MKCW5497
MKCM5359
MKCK6756
MKBZ3385V
MKBP2387V

Nevidíte správnou verzi?

Potřebujete-li konkrétní verzi, můžete vyhledat daný certifikát podle čísla dávky nebo čísla šarže.

Vyhledat COA

Již tento produkt vlastníte?

Dokumenty související s produkty, které jste v minulosti zakoupili, byly za účelem usnadnění shromážděny ve vaší Knihovně dokumentů.

Navštívit knihovnu dokumentů

Vahid A Akhavan et al.
ChemSusChem, 6(3), 481-486 (2013-02-13)
Thin-film photovoltaic devices (PVs) were prepared by selenization using oleylamine-capped Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) nanocrystals sintered at a high temperature (>500 °C) under Se vapor. The device performance varied significantly with [Ga]/[In+Ga] content in the nanocrystals. The highest power conversion efficiency (PCE) observed
Han-Youl Ryu et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A190-A200 (2013-02-15)
We investigate the dependence of various efficiencies in GaN-based vertical blue light-emitting diode (LED) structures on the thickness and doping concentration of the n-GaN layer by using numerical simulations. The electrical efficiency (EE) and the internal quantum efficiency (IQE) are
Ray-Hua Horng et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A1-A6 (2013-02-15)
A wing-type imbedded electrodes was introduced into the lateral light emitting diode configuration (WTIE-LEDs) to reduce the effect of light shading of electrode in conventional sapphire-based LEDs (CSB-LEDs). The WTIE-LEDs with double-side roughened surface structures not only can eliminate the
Dawei Deng et al.
Physical chemistry chemical physics : PCCP, 15(14), 5078-5083 (2013-03-02)
Exploring the synthesis and biomedical applications of biocompatible quantum dots (QDs) is currently one of the fastest growing fields of nanotechnology. Hence, in this work, we present a facile approach to produce water-soluble (cadmium-free) quaternary Zn-Ag-In-S (ZAIS) QDs. Their efficient
Annick Bay et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A179-A189 (2013-02-15)
In this paper the design, fabrication and characterization of a bioinspired overlayer deposited on a GaN LED is described. The purpose of this overlayer is to improve light extraction into air from the diode's high refractive-index active material. The layer
Zobrazit všechny související dokumenty

Náš tým vědeckých pracovníků má zkušenosti ve všech oblastech výzkumu, včetně přírodních věd, materiálových věd, chemické syntézy, chromatografie, analytiky a mnoha dalších..

Obraťte se na technický servis.