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Sigma-Aldrich

Gallium arsenide

(single crystal substrate), <100>, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm

Synonyme(s) :

Gallium monoarsenide

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About This Item

Formule linéaire :
GaAs
Numéro CAS:
Poids moléculaire :
144.64
Numéro CE :
Numéro MDL:
Code UNSPSC :
12352300
ID de substance PubChem :
Nomenclature NACRES :
NA.23

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Niveau de qualité

Forme

(single crystal substrate)

Résistivité

≥1E7 Ω-cm

Diam. × épaisseur

2 in. × 0.5 mm

Densité

5.31 g/mL at 25 °C (lit.)

Propriétés du semi-conducteur

<100>

Chaîne SMILES 

[Ga]#[As]

InChI

1S/As.Ga

Clé InChI

JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N

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Propriétés physiques

Mobility >=4500 cm2 · V-1 · S-1
Undoped (Si-type semiconductor), EPD < 5 × 104 cm-2, growth technique = LEC & HB

Forme physique

cubic (a = 5.6533 Å)

Pictogrammes

Health hazard

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

Classification des risques

Carc. 1B - Repr. 1B - STOT RE 1

Organes cibles

Respiratory system,hematopoietic system

Code de la classe de stockage

6.1A - Combustible acute toxic Cat. 1 and 2 / very toxic hazardous materials

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable


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