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Sigma-Aldrich

Rubrene

≥98%

Synonyme(s) :

5,6,11,12-Tetraphenylnaphthacene

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About This Item

Formule empirique (notation de Hill):
C42H28
Numéro CAS:
517-51-1
Poids moléculaire :
532.67
Numéro Beilstein :
1917339
Numéro CE :
208-242-0
Numéro MDL:
MFCD00003703
Code UNSPSC :
12352103
ID de substance PubChem :
24879373
Nomenclature NACRES :
NA.23

Niveau de qualité

100

Pureté

≥98%

Pf

330-335 °C (lit.)

λmax

299 nm
460 nm (2nd)

Chaîne SMILES 

c1ccc(cc1)-c2c3ccccc3c(-c4ccccc4)c5c(-c6ccccc6)c7ccccc7c(-c8ccccc8)c25

InChI

1S/C42H28/c1-5-17-29(18-6-1)37-33-25-13-14-26-34(33)39(31-21-9-3-10-22-31)42-40(32-23-11-4-12-24-32)36-28-16-15-27-35(36)38(41(37)42)30-19-7-2-8-20-30/h1-28H

Clé InChI

YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N

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Description générale

Rubrene is a tetraphenyl derivative of tetracene that is used as an organic semiconductor. It is used as a source material in the fabrication of rubrene single crystal based transistors with carrier mobility over 10 cm2V−1s−1.

Application

Rubrene based thin films are used as semiconducting layers along with poly(vinylidene fluoride-terefluoroethylene) (PVDF-TeFE) as insulating layers for the fabrication of ferro-electric gate field effect transistors (FETs). It may also be used as high mobility transporting material in the development of single crystal FETs.
Reagent for chemiluminescence research and for transition metal complex ligation.

Code de la classe de stockage

11 - Combustible Solids

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

Certificats d'analyse (COA)

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Chang H, et al.
Organic Electronics, 20, 43-48 (2015)
Field-effect transistors on rubrene single crystals with parylene gate insulator
Podzorov V, et al.
Applied Physics Letters, 82(11), 1739-1741 (2003)
Intrinsic charge transport on the surface of organic semiconductors
Podzorov V, et al.
Physical Review Letters, 93(8), 086602-086602 (2004)
Organic ferroelectric gate field-effect transistor memory using high-mobility rubrene thin film
Kanashima T, et al.
Japanese Journal of Applied Physics, 53(4S), 04ED11-04ED11 (2014)
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Stassen AF, et al.
Applied Physics Letters, 85(17), 3899-3901 (2004)
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