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Sigma-Aldrich

Indium antimonide

≥99.99% trace metals basis

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About This Item

Fórmula linear:
InSb
Número CAS:
1312-41-0
Peso molecular:
236.58
Número CE:
215-192-3
Número MDL:
MFCD00016146
Código UNSPSC:
12352300
ID de substância PubChem:
329765452

Ensaio

≥99.99% trace metals basis

Formulário

crystals

cadeia de caracteres SMILES

[In]#[Sb]

InChI

1S/In.Sb

chave InChI

WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N

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Descrição geral

Indium antimonide (InSb) is a semiconductor material with good electron mobility and saturation velocity. It can be prepared typically by ball-milling indium (In) and antimony (Sb) metals in a 1:1 ratio.[1][2]

Aplicação

InSb can be used for a variety of applications such as superconductors, thermoelectric materials, and lithium-ion batteries.[2][3][4][5]

Pictogramas

Exclamation markEnvironment
GHS07,GHS09

Palavra indicadora

Warning

Frases de perigo

H302 + H332,H411

Classificações de perigo

Acute Tox. 4 Inhalation - Acute Tox. 4 Oral - Aquatic Chronic 2

Código de classe de armazenamento

6.1D - Non-combustible acute toxic Cat.3 / toxic hazardous materials or hazardous materials causing chronic effects

Classe de risco de água (WGK)

WGK 2

Ponto de fulgor (°F)

Not applicable

Ponto de fulgor (°C)

Not applicable

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Certificados de análise (COA)

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Sareminia, Gh.; Hajian, M.; Simchi, H.; Eminov, Sh.; Moradi, M.
Infrared Physics &Technology, 53, 315-315 (2010)
Effect of growth base pressure on the thermoelectric properties of indium antimonide nanowires
Zhou F, et al.
Journal of Physics D: Applied Physics (2009)
Fritzsche, H.; Lark-Horovitz, K.
Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics, 99, 400-400 (1955)
Yang, X.; Wang, G.; Slattery, P.; Zhang, J.; Li, Y.
Crystal Growth & Design, 10, 2479-2479 (2010)
High performance In x Ce y Co 4 Sb 12 thermoelectric materials with in situ forming nanostructured InSb phase
Li H, et al.
Applied Physics Letters, 336(6084), 1003-1007 (2009)
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