Pular para o conteúdo
Merck
Todas as fotos(2)

Documentos Principais

666610

Sigma-Aldrich

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV)

packaged for use in deposition systems

Sinônimo(s):

TDMAH, Tetrakis(dimethylamino)hafnium(IV)

Faça loginpara ver os preços organizacionais e de contrato

Selecione um tamanho

25 G
R$ 10.695,00

R$ 10.695,00


Check Cart for Availability

Solicite uma grande encomenda

Selecione um tamanho

Alterar visualização
25 G
R$ 10.695,00

About This Item

Fórmula linear:
[(CH3)2N]4Hf
Número CAS:
Peso molecular:
354.79
Número MDL:
Código UNSPSC:
12352103
ID de substância PubChem:
NACRES:
NA.23

R$ 10.695,00


Check Cart for Availability

Solicite uma grande encomenda

Nível de qualidade

Ensaio

≥99.99% (trace metals analysis)

Formulário

low-melting solid

adequação da reação

core: hafnium

pf

26-29 °C (lit.)

densidade

1.098 g/mL at 25 °C

cadeia de caracteres SMILES

CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4

chave InChI

ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N

Procurando produtos similares? Visita Guia de comparação de produtos

Descrição geral

Alkyl amides of Hafnium provide a convenient and effective atomic layer deposition precursor to smooth and and amorphous hafnium oxide thin films.[1][2][3][4]

Aplicação

Used as precursor for atomic layer deposition of Hafnium Oxide nanolaminates, which are used as a reploacement for Silicon oxide in semiconductor devices.[1][2][3][4]

Pictogramas

FlameCorrosion

Palavra indicadora

Danger

Frases de perigo

Classificações de perigo

Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2

Perigos de suplementos

Código de classe de armazenamento

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

Classe de risco de água (WGK)

WGK 3

Ponto de fulgor (°F)

109.4 °F - closed cup

Ponto de fulgor (°C)

43 °C - closed cup

Equipamento de proteção individual

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges


Escolha uma das versões mais recentes:

Certificados de análise (COA)

Lot/Batch Number

Não está vendo a versão correta?

Se precisar de uma versão específica, você pode procurar um certificado específico pelo número do lote ou da remessa.

Já possui este produto?

Encontre a documentação dos produtos que você adquiriu recentemente na biblioteca de documentos.

Visite a Biblioteca de Documentos

Os clientes também visualizaram

Slide 1 of 1

1 of 1

Surface morphology and crystallinity control in the atomic layer deposition (ALD) of hafnium and zirconium oxide thin films
Hausmann DM, Gordon RG
Journal of Crystal Growth, 249, 251-261 (2003)
High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication
Rushworth S
Material Matters, 5(4) null
Applied Physics Letters, 91, 193503-193503 (2007)
The Savannah ALD System - An Excellent Tool for Atomic Layer Deposition
Monsma D, Becker J
Material Matters, 1(3), 5-5 (2006)

Artigos

Atomic Layer Deposition (ALD) technology ensures uniform coating on complex 3D surfaces with precise chemisorption cycles.

Nanocomposite Coatings with Tunable Properties Prepared by Atomic Layer Deposition

Thin film photovoltaic devices have become increasingly important in efficiently harnessing solar energy to meet consumer demand.

The properties of many devices are limited by the intrinsic properties of the materials that compose them.

Questions

  1. What is the Department of Transportation shipping information for this product?

    1 answer
    1. Transportation information can be found in Section 14 of the product's (M)SDS.To access the shipping information for this material, use the link on the product detail page for the product.

      Helpful?

Reviews

No rating value

Active Filters

Nossa equipe de cientistas tem experiência em todas as áreas de pesquisa, incluindo Life Sciences, ciência de materiais, síntese química, cromatografia, química analítica e muitas outras.

Entre em contato com a assistência técnica