SIBN4W
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Sigma-Aldrich
634867
二氧化硅
920932
Monolayer hexagonal Boron Nitride (hBN) on Si/SiO2 wafer
920959
Monolayer Graphene on Si/SiO2 wafer
GRFETS10
Graphene FET chip
647705
硅
920924
920940
921521
Monolayer hexagonal Boron Nitride (hBN) on copper foil
920967
FIPMS176
Back-gated OFET Substrate
die layer thickness 300 nm SiO2die layer thickness 36 nm boron nitride
4 in. , wafer
525 μm , silicon
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