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Merck

666610

Sigma-Aldrich

四(二甲基氨基)铪 (Ⅳ)

packaged for use in deposition systems

别名:

TDMAH, 四(二甲胺基)铪(IV)

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About This Item

线性分子式:
[(CH3)2N]4Hf
CAS号:
分子量:
354.79
MDL编号:
UNSPSC代码:
12352103
PubChem化学物质编号:
NACRES:
NA.23

质量水平

方案

≥99.99% (trace metals analysis)

表单

low-melting solid

反应适用性

core: hafnium

mp

26-29 °C (lit.)

密度

1.098 g/mL at 25 °C

SMILES字符串

CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4

InChI key

ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N

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一般描述

铪烷基酰胺是制备平滑非晶氧化铪薄膜的一种简便有效的原子层沉积前驱体。

应用

用作氧化铪纳米层压板的原子层沉积的前体,其用作半导体器件中的氧化硅的替换物。

象形图

FlameCorrosion

警示用语:

Danger

危险声明

危险分类

Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2

补充剂危害

储存分类代码

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

WGK

WGK 3

闪点(°F)

109.4 °F - closed cup

闪点(°C)

43 °C - closed cup

个人防护装备

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges


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Applied Physics Letters, 91, 193503-193503 (2007)
Surface morphology and crystallinity control in the atomic layer deposition (ALD) of hafnium and zirconium oxide thin films
Hausmann DM, Gordon RG
Journal of Crystal Growth, 249, 251-261 (2003)
High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication
Rushworth S
Material Matters, 5(4) null
The Savannah ALD System - An Excellent Tool for Atomic Layer Deposition
Monsma D, Becker J
Material Matters, 1(3), 5-5 (2006)

商品

Atomic Layer Deposition (ALD) technology ensures uniform coating on complex 3D surfaces with precise chemisorption cycles.

Atomic Layer Deposition (ALD) technology ensures uniform coating on complex 3D surfaces with precise chemisorption cycles.

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