Direkt zum Inhalt
Merck

326615

Sigma-Aldrich

Indium

pieces, 99.99% trace metals basis

Anmeldenzur Ansicht organisationsspezifischer und vertraglich vereinbarter Preise


About This Item

Empirische Formel (Hill-System):
In
CAS-Nummer:
Molekulargewicht:
114.82
EG-Nummer:
MDL-Nummer:
UNSPSC-Code:
12141719
PubChem Substanz-ID:
NACRES:
NA.23

Dampfdruck

<0.01 mmHg ( 25 °C)

Qualitätsniveau

Assay

99.99% trace metals basis

Form

pieces

Widerstandsfähigkeit

8.37 μΩ-cm

Ungefähre Stückgröße

1/4-2 in.

mp (Schmelzpunkt)

156.6 °C (lit.)

Dichte

7.3 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES String

[In]

InChI

1S/In

InChIKey

APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N

Suchen Sie nach ähnlichen Produkten? Aufrufen Leitfaden zum Produktvergleich

Piktogramme

Health hazard

Signalwort

Danger

H-Sätze

Gefahreneinstufungen

STOT RE 1 Inhalation

Zielorgane

Lungs

Lagerklassenschlüssel

6.1C - Combustible acute toxic Cat.3 / toxic compounds or compounds which causing chronic effects

WGK

WGK 1

Flammpunkt (°F)

Not applicable

Flammpunkt (°C)

Not applicable

Persönliche Schutzausrüstung

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


Hier finden Sie alle aktuellen Versionen:

Analysenzertifikate (COA)

Lot/Batch Number

Die passende Version wird nicht angezeigt?

Wenn Sie eine bestimmte Version benötigen, können Sie anhand der Lot- oder Chargennummer nach einem spezifischen Zertifikat suchen.

Besitzen Sie dieses Produkt bereits?

In der Dokumentenbibliothek finden Sie die Dokumentation zu den Produkten, die Sie kürzlich erworben haben.

Die Dokumentenbibliothek aufrufen

Kunden haben sich ebenfalls angesehen

Vahid A Akhavan et al.
ChemSusChem, 6(3), 481-486 (2013-02-13)
Thin-film photovoltaic devices (PVs) were prepared by selenization using oleylamine-capped Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) nanocrystals sintered at a high temperature (>500 °C) under Se vapor. The device performance varied significantly with [Ga]/[In+Ga] content in the nanocrystals. The highest power conversion efficiency (PCE) observed
Yuji Zhao et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A53-A59 (2013-02-15)
Linear polarized electroluminescence was investigated for semipolar (3031) and (3031) InGaN light-emitting diodes (LEDs) with various indium compositions. A high degree of optical polarization was observed for devices on both planes, ranging from 0.37 at 438 nm to 0.79 at
J S Fandiño et al.
Optics express, 21(3), 3726-3736 (2013-03-14)
We report the design, fabrication and characterization of an integrated frequency discriminator on InP technology for microwave photonic phase modulated links. The optical chip is, to the best of our knowledge, the first reported in an active platform and the
Hwa Sub Oh et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(1), 564-567 (2013-05-08)
We investigate Ga0.33In0.67P quantum dot structures appropriate for special lighting applications in terms of structural and optical behaviors. The Ga0.33In0.67P materials form from 2-dimentional to 3-dimensional dots as the nominal growth thickness increases from 0.5 nm to 6.0 nm, indicating
Thirumaleshwara N Bhat et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(1), 498-503 (2013-05-08)
The thermal oxidation process of the indium nitride (InN) nanorods (NRs) was studied. The SEM studies reveal that the cracked and burst mechanism for the formation of indium oxide (In2O3) nanostructures by oxidizing the InN NRs at higher temperatures. XRD

Unser Team von Wissenschaftlern verfügt über Erfahrung in allen Forschungsbereichen einschließlich Life Science, Materialwissenschaften, chemischer Synthese, Chromatographie, Analytik und vielen mehr..

Setzen Sie sich mit dem technischen Dienst in Verbindung.