On the origin of contact resistances of organic thin film transistors.

On the origin of contact resistances of organic thin film transistors.

Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2012-06-26)

Marko Marinkovic, Dagmawi Belaineh, Veit Wagner, Dietmar Knipp

要旨

A model is presented that describes the gate-voltage-dependent contact resistance and channel-length-dependent charge carrier mobility of small-molecule-based organic thin-film transistors in top and bottom drain/source contact configuration.

材料

製品番号

ブランド

製品内容

225770

Sigma-Aldrich

リチウムビス(トリメチルシリル)アミド溶液, 1.0 M in THF

440191

Sigma-Aldrich

ヘキサメチルジシラザン, reagent grade, ≥99%

245585

Sigma-Aldrich

ナトリウムビス(トリメチルシリル)アミド溶液, 1.0 M in THF

702722

Sigma-Aldrich

カリウムビス(トリメチルシリル)アミド溶液, 1 M in THF

324620

Sigma-Aldrich

リチウムビス(トリメチルシリル)アミド, 97%

379212

Sigma-Aldrich

ヘキサメチルジシラザン, ReagentPlus^®, 99.9%

324671

Sigma-Aldrich

カリウムビス(トリメチルシリル)アミド, 95%

577928

Sigma-Aldrich

リチウムビス(トリメチルシリル)アミド溶液, 1 M in toluene

235083

Sigma-Aldrich

ナトリウムビス(トリメチルシリル)アミド, 95%

766917

Sigma-Aldrich

リチウムビス(トリメチルシリル)アミド溶液, 1.5 M in THF

277304

Sigma-Aldrich

カリウムビス(トリメチルシリル)アミド溶液, 0.5 M in toluene

80631

Sigma-Aldrich

ナトリウムビス(トリメチルシリル)アミド溶液, 40% in THF

224367

Sigma-Aldrich

リチウムビス(トリメチルシリル)アミド溶液, 1.0 M in hexanes

775061

Sigma-Aldrich

カリウムビス(トリメチルシリル)アミド溶液, 1.0 M in 2-methyltetrahydrofuran

524514

Sigma-Aldrich

Tris[N,N-bis(trimethylsilyl)amide]yttrium

368059

Sigma-Aldrich

ナトリウムビス(トリメチルシリル)アミド溶液, 0.6 M in toluene

775053

Sigma-Aldrich

リチウムビス(トリメチルシリル)アミド溶液, 0.5 M in 2-methyltetrahydrofuran

52619

Supelco

ヘキサメチルジシラザン, derivatization grade (GC derivatization), LiChropur^™, ≥99.0% (GC)

577014

Sigma-Aldrich

リチウムビス(トリメチルシリル)アミド溶液, 1 M in tert-butyl methyl ether

547980

Sigma-Aldrich

トリス[N,N-ビス(トリメチルシリル)アミド]サマリウム(III), 98%

86944

Sigma-Aldrich

ヘキサメチルジシラザン, Wacker Chemie AG, ≥97.0% (GC)