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R2206

Sigma-Aldrich

Rubrene

powder

Synonyme(s) :

5,6,11,12-Tetraphenylnaphthacene

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About This Item

Formule empirique (notation de Hill):
C42H28
Numéro CAS:
517-51-1
Poids moléculaire :
532.67
Beilstein:
1917339
Numéro CE :
208-242-0
Numéro MDL:
MFCD00003703
Code UNSPSC :
12352103
ID de substance PubChem :
24899352
Nomenclature NACRES :
NA.23

Forme

powder

Niveau de qualité

100

Pf

330-335 °C (lit.)

λmax

299 nm

Performance des dispositifs OLED

ITO/CuPc/NPD/Alq3:Rubrene (5%): DCM2 (2%)/Alq3/Mg:In

  • Color: red
  • Max. Luminance: 7780 Cd/m2

ITO/PEDOT:PSS/EHCz:Rubrene (1 wt%)/Cs2CO3:ITO
  • Color: red
  • Max. EQE: 0.03 %

Chaîne SMILES 

c1ccc(cc1)-c2c3ccccc3c(-c4ccccc4)c5c(-c6ccccc6)c7ccccc7c(-c8ccccc8)c25

InChI

1S/C42H28/c1-5-17-29(18-6-1)37-33-25-13-14-26-34(33)39(31-21-9-3-10-22-31)42-40(32-23-11-4-12-24-32)36-28-16-15-27-35(36)38(41(37)42)30-19-7-2-8-20-30/h1-28H

Clé InChI

YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N

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Application

Reagent for chemiluminescence research and for transition metal complex ligation.
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Code de la classe de stockage

11 - Combustible Solids

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

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Certificats d'analyse (COA)

Lot/Batch Number
SHBR5025
MKBX2009V
MKBN3145V
MKBJ5267V
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Inorganic Chemistry, 32, 1078-1078 (1993)
Rui M Pinto et al.
Journal of the American Chemical Society, 137(22), 7104-7110 (2015-05-21)
Exciton diffusion is at the heart of most organic optoelectronic devices' operation, and it is currently the most limiting factor to their achieving high efficiency. It is deeply related to molecular organization, as it depends on intermolecular distances and orbital
Yuanzhen Chen et al.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.), 23(45), 5370-5375 (2011-10-18)
Commonly observed variations in photoluminescence (PL) spectra of crystalline organic semiconductors, including the appearance or enhancement of certain PL bands, are shown to originate from a small amount of structural disorder (e.g., amorphous inclusions embedded in a crystal), rather than
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The origin of the bias stress effect related only to semiconductor properties is investigated in "air-gap" organic field-effect transistors (OFETs) in the absence of a material gate dielectric. The effect becomes stronger as the density of trap states in the
Fang Gao et al.
The journal of physical chemistry. A, 113(46), 12847-12856 (2009-10-14)
We present a theoretical study on the temperature-dependent absorption and photoluminescence spectroscopy of rubrene multichromophores by combining the time-dependent long-range-corrected density functional theory with the exciton model. The spectra of rubrene multichromophores up to heptamers are calculated, and the effects
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