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Sigma-Aldrich

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV)

packaged for use in deposition systems

Synonyme(s) :

TDMAH, Tetrakis(dimethylamino)hafnium(IV)

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About This Item

Formule linéaire :
[(CH3)2N]4Hf
Numéro CAS:
19782-68-4
Poids moléculaire :
354.79
Numéro MDL:
MFCD01862473
Code UNSPSC :
12352103
ID de substance PubChem :
24884811
Nomenclature NACRES :
NA.23

Niveau de qualité

100

Pureté

≥99.99% (trace metals analysis)

Forme

low-melting solid

Pertinence de la réaction

core: hafnium

Pf

26-29 °C (lit.)

Densité

1.098 g/mL at 25 °C

Chaîne SMILES 

CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4

Clé InChI

ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N

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Catégories apparentées

Description générale

Alkyl amides of Hafnium provide a convenient and effective atomic layer deposition precursor to smooth and and amorphous hafnium oxide thin films.

Application

Precursors Packaged for Depositions Systems
Used as precursor for atomic layer deposition of Hafnium Oxide nanolaminates, which are used as a reploacement for Silicon oxide in semiconductor devices.

Pictogrammes

FlameCorrosion
GHS02,GHS05

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

H228,H261,H314

Classification des risques

Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2

Risques supp

EUH014

Code de la classe de stockage

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

109.4 °F - closed cup

Point d'éclair (°C)

43 °C - closed cup

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges

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The Savannah ALD System - An Excellent Tool for Atomic Layer Deposition
Monsma D, Becker J
Material Matters, 1(3), 5-5 (2006)
High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication
Rushworth S
Material Matters, 5(4) null
Surface morphology and crystallinity control in the atomic layer deposition (ALD) of hafnium and zirconium oxide thin films
Hausmann DM, Gordon RG
Journal of Crystal Growth, 249, 251-261 (2003)
Applied Physics Letters, 91, 193503-193503 (2007)

Articles

Savannah ALD System for Atomic Layer Deposition

Atomic Layer Deposition (ALD) technology ensures uniform coating on complex 3D surfaces with precise chemisorption cycles.

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