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Merck
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237264

Sigma-Aldrich

Resolve-Al La

99%

Synonyme(s) :

La(tmhd)3, Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)lanthanum

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About This Item

Formule linéaire :
La(OCC(CH3)3CHCOC(CH3)3)3
Numéro CAS:
14319-13-2
Poids moléculaire :
688.71
Numéro MDL:
MFCD00010466
Code UNSPSC :
12142201
ID de substance PubChem :
24854230
Nomenclature NACRES :
NA.21

Pureté

99%

Forme

powder or crystals

Point d'ébullition

370 °C (lit.)

Pf

128-131 °C (lit.)

Chaîne SMILES 

CC(C)(C)C(=O)\C=C(/O[Yb](O\C(=C/C(=O)C(C)(C)C)C(C)(C)C)O\C(=C/C(=O)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)(C)C

InChI

1S/3C11H20O2.La/c3*1-10(2,3)8(12)7-9(13)11(4,5)6;/h3*7,12H,1-6H3;/q;;;+3/p-3/b3*8-7-;

Clé InChI

IXHLTRHDDMSNAP-LWTKGLMZSA-K

Catégories apparentées

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Informations légales

Code de la classe de stockage

11 - Combustible Solids

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

Certificats d'analyse (COA)

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MOCVD of lanthanum oxides from La (tmhd)3 and La (tmod)3 precursors: A thermal and kinetic investigation.
Bedoya C, et al.
Chem. Vap. Deposition, 12(1), 46-53 (2006)
Structural and electrical properties of a La2O3 thin film as a gate dielectric.
Jun JH, et al.
The Journal of the Korean Physical Society, 11(6) (2002)
Study on the precursors for La2O3 thin films deposited on silicon substrate.
Jun J, et al.
Journal of Materials Science Letters, 21(23), 1847-1849 (2002)

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