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666610

Sigma-Aldrich

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV)

packaged for use in deposition systems

Sinónimos:

TDMAH, Tetrakis(dimethylamino)hafnium(IV)

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About This Item

Fórmula lineal:
[(CH3)2N]4Hf
Número de CAS:
19782-68-4
Peso molecular:
354.79
Número MDL:
MFCD01862473
Código UNSPSC:
12352103
ID de la sustancia en PubChem:
24884811
NACRES:
NA.23

Nivel de calidad

100

Ensayo

≥99.99% (trace metals analysis)

Formulario

low-melting solid

idoneidad de la reacción

core: hafnium

mp

26-29 °C (lit.)

densidad

1.098 g/mL at 25 °C

cadena SMILES

CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4

Clave InChI

ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N

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Categorías relacionadas

Descripción general

Alkyl amides of Hafnium provide a convenient and effective atomic layer deposition precursor to smooth and and amorphous hafnium oxide thin films.

Aplicación

Precursors Packaged for Depositions Systems
Used as precursor for atomic layer deposition of Hafnium Oxide nanolaminates, which are used as a reploacement for Silicon oxide in semiconductor devices.

Pictogramas

FlameCorrosion
GHS02,GHS05

Palabra de señalización

Danger

Frases de peligro

H228,H261,H314

Clasificaciones de peligro

Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2

Riesgos supl.

EUH014

Código de clase de almacenamiento

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

Clase de riesgo para el agua (WGK)

WGK 3

Punto de inflamabilidad (°F)

109.4 °F - closed cup

Punto de inflamabilidad (°C)

43 °C - closed cup

Equipo de protección personal

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges

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Certificados de análisis (COA)

Lot/Batch Number
SHBK7010
SHBF9212V
SHBL1439
SHBG7622V
SHBD9302V

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Surface morphology and crystallinity control in the atomic layer deposition (ALD) of hafnium and zirconium oxide thin films
Hausmann DM, Gordon RG
Journal of Crystal Growth, 249, 251-261 (2003)
High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication
Rushworth S
Material Matters, 5(4) null
Applied Physics Letters, 91, 193503-193503 (2007)
The Savannah ALD System - An Excellent Tool for Atomic Layer Deposition
Monsma D, Becker J
Material Matters, 1(3), 5-5 (2006)

Artículos

Savannah ALD System for Atomic Layer Deposition

Atomic Layer Deposition (ALD) technology ensures uniform coating on complex 3D surfaces with precise chemisorption cycles.

Savannah ALD System for Atomic Layer Deposition

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