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725471

Sigma-Aldrich

Bis(methyl-η5−cyclopentadienyl)methoxymethylzirconium

packaged for use in deposition systems

Sinonimo/i:

ZRCMMM, ZrD-CO4

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About This Item

Formula condensata:
Zr(CH3C5H4)2CH3OCH3
Peso molecolare:
295.53
Numero MDL:
MFCD16875687
Codice UNSPSC:
12352103
ID PubChem:
329764163
NACRES:
NA.23

Forma fisica

liquid

Impiego in reazioni chimiche

core: zirconium

Colore

colorless

P. eboll.

110 °C/0.5 mmHg (lit.)

Densità

1.27 g/mL±0.01 g/mL at 25 °C (lit.)

Stringa SMILE

C[C]1[C][C][C][C]1.C[C]2[C][C][C][C]2.C[Zr]OC

InChI

1S/2C6H7.CH3O.CH3.Zr/c2*1-6-4-2-3-5-6;1-2;;/h2*2-5H,1H3;1H3;1H3;/q;;-1;;+1
LFGIFPGCOXPKMG-UHFFFAOYSA-N

Categorie correlate

Descrizione generale

Atomic number of base material: 40 Zirconium

Applicazioni

Precursors Packaged for Depositions Systems
Advanced precursor for atomic layer deposition of ZrO2 thin films. Hafnium and zirconium oxides are leading candidates to replace silicion dioxide as the gate oxide in a variety of semiconductor and energy applications. Excellent properties of HfO2 and ZrO2 films make them especially attractive for gate oxide replacement and as potential insulating dielectrics for capacitive elements in memory devices such as DRAM.

Caratteristiche e vantaggi

Compatible with a variety of oxidants in ALD growth processes across a wide temperature range exhibiting self limiting growth up to 400 °C. Precursor volatility and thermal stability properties enable easy materials transport from bubblers into conventional deposition tools.

Confezionamento

Packaged in stainless steel cylinders compatible with conventional deposition systems. Precursors may be used in liquid injection systems as dilute solutions and in combination with a variety of other sources to deposit mixed oxides.

Pittogrammi

Exclamation mark
GHS07

Avvertenze

Warning

Indicazioni di pericolo

H302,H315,H319

Consigli di prudenza

P305 + P351 + P338

Classi di pericolo

Acute Tox. 4 Oral - Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2

Codice della classe di stoccaggio

10 - Combustible liquids not in Storage Class 3

Classe di pericolosità dell'acqua (WGK)

WGK 3

Punto d’infiammabilità (°F)

226.4 °F

Punto d’infiammabilità (°C)

108 °C

Certificati d'analisi (COA)

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J. W. Elama
Applied Physics Letters, 91, 253123-253123 (2007)
High-k gate dielectrics: current status and material properties considerations
Wilk, G.D.; Wallace, R.M.; Anthony, J.M.
Journal of Applied Physics, 89, 5243-5243 (2001)
Gutsche, M.; Seidl, H.; Luetzen J.; Birner, A.;
International Electron Devices Meeting, 18-18 (2001)

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