Typically, a volatile Ti compound such as Titanium(IV) isopropoxide (TTIP), TiCl4, Titanium alkoxides, Ti(acac)4, etc., can be used as the precursor for depositing thin films of TiO2 using a PECVD system. It's important to note that different precursors have different boiling points and may result in different surface structures and morphologies.
454516
Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane
97%
Sinonimo/i:
1,1,1,5,5,5-Hexamethyl-3,3-bis[(trimethylsilyl)oxy]trisiloxane, Tetrakis(trimethylsilyl) silicate
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About This Item
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Livello qualitativo
Saggio
97%
Indice di rifrazione
n20/D 1.389 (lit.)
P. ebollizione
103-106 °C/2 mmHg (lit.)
Densità
0.87 g/mL at 25 °C (lit.)
Stringa SMILE
C[Si](C)(C)O[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C
InChI
1S/C12H36O4Si5/c1-17(2,3)13-21(14-18(4,5)6,15-19(7,8)9)16-20(10,11)12/h1-12H3
VNRWTCZXQWOWIG-UHFFFAOYSA-N
Categorie correlate
Applicazioni
Avvertenze
Warning
Indicazioni di pericolo
Consigli di prudenza
Classi di pericolo
Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3
Organi bersaglio
Respiratory system
Codice della classe di stoccaggio
10 - Combustible liquids
Classe di pericolosità dell'acqua (WGK)
WGK 3
Punto d’infiammabilità (°F)
168.8 °F - closed cup
Punto d’infiammabilità (°C)
76 °C - closed cup
Dispositivi di protezione individuale
Eyeshields, Gloves, type ABEK (EN14387) respirator filter
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What precursors can be suggested for compatibility with our PECVD system in order to deposit thin films of TiO2?
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