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Sigma-Aldrich

Dichloromethylvinylsilane

97%

Synonyme(s) :

Methylvinyldichlorosilane

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About This Item

Formule linéaire :
H2C=CHSi(CH3)Cl2
Numéro CAS:
124-70-9
Poids moléculaire :
141.07
Numéro Beilstein :
1740822
Numéro CE :
204-710-3
Numéro MDL:
MFCD00000492
Code UNSPSC :
12352100
ID de substance PubChem :
24846683
Nomenclature NACRES :
NA.22

Densité de vapeur

>1 (vs air)

Pureté

97%

Indice de réfraction

n20/D 1.430 (lit.)

Point d'ébullition

92 °C (lit.)

Densité

1.08 g/mL at 25 °C (lit.)

Température de stockage

2-8°C

Chaîne SMILES 

C[Si](Cl)(Cl)C=C

InChI

1S/C3H6Cl2Si/c1-3-6(2,4)5/h3H,1H2,2H3

Clé InChI

YLJJAVFOBDSYAN-UHFFFAOYSA-N

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Description générale

Dichloromethylvinylsilane reacts with dimethylsulphide borane to form organosilylborane, which further gets ammonolysized to form the polymer of the SiBCN.

Application

Dichloromethylvinylsilane was used as single molecular precursor for the deposition of β-SiC thin films and β -SiC nanowires by metalorganic chemical vapor deposition on bare Si 100 and Ni-coated Si 100 substrates. Dichloromethylvinylsilane was used in the synthesis and characterization of Tris(1-(dichloro(methyl)silyl)ethyl)borane,monomer.

Pictogrammes

FlameSkull and crossbonesCorrosion
GHS02,GHS06,GHS05

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

H225,H302,H314,H331

Classification des risques

Acute Tox. 3 Inhalation - Acute Tox. 4 Oral - Flam. Liq. 2 - Skin Corr. 1B

Risques supp

EUH014,EUH071

Code de la classe de stockage

3 - Flammable liquids

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 1

Point d'éclair (°F)

38.1 °F - closed cup

Point d'éclair (°C)

3.4 °C - closed cup

Équipement de protection individuelle

Faceshields, Gloves, Goggles, type ABEK (EN14387) respirator filter

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Influence of the Precursor Cross-Linking Route on the Thermal Stability of Si- B- C- O Ceramics.
Ischenko V, et al.
Chemistry of Materials, 20(22), 7148-7156 (2008)
Synthesis and Structure Characterization of Amorphous SiBCN Ceramic Precursors.
Yajing L and Yue Z.
Rare Metals Materials and Engineering, 40, 234-237 (2011)
Growth of β-SiC nanowires and thin films by metalorganic chemical vapor deposition using dichloromethylvinylsilane.
Kang B-C, et al.
J. Vac. Sci. Technol. B, 23(4), 1722-1725 (2005)
H Yamakita et al.
Radioisotopes, 33(8), 513-518 (1984-08-01)
Poly(methylvinylsiloxane)-bonded silica gel was synthesized by condensation reaction between silica gel and the hydrolysis product of methylvinyldichlorosilane. Graft polymerization of styrene or indene onto poly(methylvinylsiloxane)-bonded silica gel was carried out by gamma-ray irradiation and compared with that onto silica gel.

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