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Sigma-Aldrich

Chloropentamethyldisilane

97%

Synonyme(s) :

1-Chloro-1,1,2,2,2-pentamethyldisilane, Chlorodimethyl(trimethylsilyl)silane, Chloropentamethyldisilane, Pentamethylchlorodisilane

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About This Item

Formule linéaire :
(CH3)3SiSi(CH3)2Cl
Numéro CAS:
Poids moléculaire :
166.80
Numéro CE :
Numéro MDL:
Code UNSPSC :
12352300
ID de substance PubChem :
Nomenclature NACRES :
NA.23

Pureté

97%

Forme

liquid

Indice de réfraction

n20/D 1.4415 (lit.)

Point d'ébullition

134-136 °C (lit.)

Densité

0.862 g/mL at 25 °C (lit.)

Chaîne SMILES 

C[Si](C)(C)[Si](C)(C)Cl

InChI

1S/C5H15ClSi2/c1-7(2,3)8(4,5)6/h1-5H3

Clé InChI

GJCAUTWJWBFMFU-UHFFFAOYSA-N

Application

Chloropentamethyldisilane may be used as one of the constituents for the sythesis of silyloxyjulolidine (SiN1) as a source of silyl radicals which may be used as photoinitiators for free radical photopolymerization. It may also be used in the preparation of 2-pentamethyldisilanyloxymethyl)phenylpentamethyldisilane.

Pictogrammes

FlameCorrosion

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

Classification des risques

Flam. Liq. 3 - Skin Corr. 1B

Risques supp

Code de la classe de stockage

3 - Flammable liquids

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

102.2 °F - closed cup

Point d'éclair (°C)

39 °C - closed cup

Équipement de protection individuelle

Faceshields, Gloves, Goggles, type ABEK (EN14387) respirator filter


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Silyloxyamines as sources of silyl radicals: ESR spin-trapping, laser flash photolysis investigation, and photopolymerization ability.
Versace DL, et al.
Journal of Physical Organic Chemistry, 24(4), 342-350 (2011)
Photoinduced Rearrangement Reaction of 2-(Pentamethyldisilanyloxymethyl) phenylpentamethyldisilane.
Park SK and Gong SY
Bull. Korean Chem. Soc., 31(3), 731-734 (2010)
Silyloxyamines as sources of silyl radicals: ESR spin-trapping, laser flash photolysis investigation, and photopolymerization ability.
Versace DL, et al.
Journal of Physical Organic Chemistry, 24(4), 342-350 (2011)

Articles

atomic layer deposition (ALD), microelectronics, Mo:Al2O3 films, nanocomposite coating, photovoltaics, semiconductor devices, W:Al2O3 films, composite films, layer-by-layer

Synthesis of Melting Gels Using Mono-Substituted and Di-Substituted Alkoxysiloxanes

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