920959
Graphene, monolayer film
on Si/SiO2 wafer, diam. 100 mm (4 in.)
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product name
Monolayer Graphene on Si/SiO2 wafer, diam. 100 mm (4 in.)
Beschreibung
Graphene Coverage: 100% with sporadic adlayers
Metal Impurities: 1.00e10 – 5.00e10 (at/cm) substrate
Monolayer Graphene Transparency: >97%
Raman D/G ratio: Indistinguishable to 0.03
Substrate Type/Doping: P/B
430 Ω/sq ±50 Ω/sq
Qualitätsniveau
Widerstandsfähigkeit
1-10 Ω-cm
Durchmesser
100 mm (4 in.)
Korngröße
>40 μm
Halbleitereigenschaften
(mobility>2700 cm2/V·s) (FET mobility)
InChI
1S/C
InChIKey
OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N
Allgemeine Beschreibung
Anwendung
Lagerung und Haltbarkeit
Sonstige Hinweise
Lagerklassenschlüssel
13 - Non Combustible Solids
WGK
WGK 3
Flammpunkt (°F)
Not applicable
Flammpunkt (°C)
Not applicable
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