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647772
Silizium
wafer (single side polished), <111>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm
Synonym(e):
Silicon element
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About This Item
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Form
crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)
Qualitätsniveau
Enthält
boron as dopant
Durchm. × Dicke
3 in. × 0.5 mm
bp
2355 °C (lit.)
mp (Schmelzpunkt)
1410 °C (lit.)
Dichte
2.33 g/mL at 25 °C (lit.)
Halbleitereigenschaften
<111>, P-type
SMILES String
[Si]
InChI
1S/Si
InChIKey
XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N
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Physikalische Eigenschaften
Lagerklassenschlüssel
13 - Non Combustible Solids
WGK
WGK 2
Flammpunkt (°F)
Not applicable
Flammpunkt (°C)
Not applicable
Persönliche Schutzausrüstung
Eyeshields, Gloves, type N95 (US)
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