Saltar al contenido
MilliporeSigma
Todas las fotos(1)

Documentos

901624

Sigma-Aldrich

Buffered oxide etchant (BOE) 6:1

Sinónimos:

BHF, Buffered HF

Iniciar sesiónpara Ver la Fijación de precios por contrato y de la organización


About This Item

UNSPSC Code:
12161700
NACRES:
NA.23

form

liquid

Quality Level

General description

BOE 6:1 is 6 parts by volume 40% ammonium fluoride and 1 part by volume 49% HF.
Buffered oxide etchant (BOE) is a wet etchant used in microfabrication. Its primary use is in etching thin films of silicon dioxide (SiO2) or silicon nitride (Si3N4). It is a mixture of a buffering agent, such as ammonium fluoride (NH4F), and hydrofluoric acid (HF). Concentrated HF etches silicon dioxide too quickly for good process control and also peels photoresist used in lithographic patterning.

Application

Buffered oxide etchant (BOE) 6:1 can be used in the oxide removal of AlGaN/GaN-based high electron mobility transistors for gate photolithography. It can be used in a buffer oxide etchant method for the fabrication of micro biochip.

pictograms

Skull and crossbonesCorrosion

signalword

Danger

Hazard Classifications

Acute Tox. 1 Dermal - Acute Tox. 2 Oral - Acute Tox. 3 Inhalation - Eye Dam. 1 - Skin Corr. 1A

Storage Class

6.1B - Non-combustible acute toxic Cat. 1 and 2 / very toxic hazardous materials

wgk_germany

WGK 2

flash_point_f

Not applicable

flash_point_c

Not applicable


Certificados de análisis (COA)

Busque Certificados de análisis (COA) introduciendo el número de lote del producto. Los números de lote se encuentran en la etiqueta del producto después de las palabras «Lot» o «Batch»

¿Ya tiene este producto?

Encuentre la documentación para los productos que ha comprado recientemente en la Biblioteca de documentos.

Visite la Librería de documentos

Effect of passivation on AlGaN/GaN HEMT device performance
2000 IEEE international symposium on compound semiconductors, 357-363 (2000)
Fabrication of a new micro bio chip and flow cell cytometry system using Bio-MEMS technology
Byun I, et al.
Microelectronics Journal, 39(5), 717-722 (2008)
Surface cleaning and preparation in AlGaN/GaN-based HEMT processing as assessed by X-ray photoelectron spectroscopy
Gonzalez-Posada F, et al.
Applied Surface Science, 253(14), 6185-6190 (2007)

Nuestro equipo de científicos tiene experiencia en todas las áreas de investigación: Ciencias de la vida, Ciencia de los materiales, Síntesis química, Cromatografía, Analítica y muchas otras.

Póngase en contacto con el Servicio técnico