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锑化镓

(single crystal substrate), <100>, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm

• 同義詞: Gallium antimony, Gallium monoantimonide
• 線性公式: GaSb
• CAS號碼: 12064-03-8
• 分子量：: 191.48
• EC號碼: 235-058-8
• MDL號碼: MFCD00016101
• 分類程式碼代碼: 12352300
• PubChem物質ID: 24883831
• NACRES: NA.23

屬性

• 形狀: (single crystal substrate)
• 電阻係數: ~0.1 Ω-cm
• 直徑× 厚度: 2 in. × 0.5 mm
• mp: 710 °C; 980 °C (lit.)
• 密度: 5.619 g/mL at 25 °C; 5.62 g/mL at 25 °C (lit.)
• 半導體屬性: <100>
• SMILES 字串: [Ga]#[Sb]
• InChI: 1S/Ga.Sb
• InChI 密鑰: VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N

描述

物理性質

未掺杂的 P 型半导体，生长技术：液封直拉法，载流子浓度 = 1-2×10^-17cm^-3，蚀坑密度 <10³cm^-2

热膨胀：6.1×10^-6/oK；热导率：270mW/cm.k (300K)；迁移率 600~800cm²/V⋅s

外觀

立方晶系 (a = 6.095Å)

安全資訊

• 象形圖: GHS07,GHS09
• 訊號詞: Warning
• 危險聲明: H302 + H332,H411
• 防範說明: P273
• 危險分類: Acute Tox. 4 Inhalation - Acute Tox. 4 Oral - Aquatic Chronic 2
• 儲存類別代碼: 13 - Non Combustible Solids
• 水污染物質分類（WGK）: WGK 2
• 閃點（°F）: Not applicable
• 閃點（°C）: Not applicable
• 個人防護裝備: dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves