Przejdź do zawartości
Merck

Przejdź do

454516

Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane

97%

Synonim(y):

1,1,1,5,5,5-Hexamethyl-3,3-bis[(trimethylsilyl)oxy]trisiloxane, Tetrakis(trimethylsilyl) silicate

Zaloguj się, aby wyświetlić ceny organizacyjne i kontraktowe.

Wybierz wielkość

Zmień widok
Do Państwa/SKUDostępnośćCena netto
5 mL
Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności
328,00 zł

Informacje o tej pozycji

Wzór liniowy:
[(CH3)3SiO]4Si
Numer CAS:
Masa cząsteczkowa:
384.84
NACRES:
NA.22
PubChem Substance ID:
UNSPSC Code:
12352103
EC Number:
222-613-4
MDL number:

328,00 zł


Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności

Złóż zamówienie na produkt na zamówienie
Pomoc techniczna
Potrzebujesz pomocy? Nasz zespół doświadczonych naukowców chętnie Ci pomoże.
Pozwól nam pomóc


Quality Segment

assay

97%

refractive index

n20/D 1.389 (lit.)

bp

103-106 °C/2 mmHg (lit.)

density

0.87 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES string

C[Si](C)(C)O[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C

InChI

1S/C12H36O4Si5/c1-17(2,3)13-21(14-18(4,5)6,15-19(7,8)9)16-20(10,11)12/h1-12H3

InChI key

VNRWTCZXQWOWIG-UHFFFAOYSA-N

Application

Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane (TTMS) is an organosilicon compound used as a precursor to prepare nanostructured organosilicon polymer films by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at atmospheric pressure. TTMS along with cyclohexane can also be used to synthesize low dielectric constant SiCOH films by PECVD method.
Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.

Porównaj podobne pozycje

Wyświetl pełne porównanie

Pokaż różnice

1 of 1

Ta pozycja
302600197734335150
description

97%

description

97%

description

99%

description

97%

assay

97%

assay

97%

assay

99%

assay

97%

density

0.87 g/mL at 25 °C (lit.)

density

0.827 g/mL at 25 °C (lit.)

density

0.873 g/mL at 25 °C (lit.)

density

0.877 g/mL at 25 °C (lit.)

Quality Level

100

Quality Level

100

Quality Level

100

Quality Level

100

refractive index

n20/D 1.389 (lit.)

refractive index

n20/D 1.464 (lit.)

refractive index

n20/D 1.491 (lit.)

refractive index

n20/D 1.510 (lit.)

bp

103-106 °C/2 mmHg (lit.)

bp

55-56 °C/2 mmHg (lit.)

bp

168-170 °C (lit.)

bp

120 °C (lit.)


pictograms

Exclamation mark

signalword

Warning

Hazard Classifications

Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3

target_organs

Respiratory system

Klasa składowania

10 - Combustible liquids

wgk

WGK 3

flash_point_f

168.8 °F - closed cup

flash_point_c

76 °C - closed cup

ppe

Eyeshields, Gloves, type ABEK (EN14387) respirator filter



Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number

It looks like we've run into a problem, but you can still download Certificates of Analysis from our Dokumenty section.

Proszę o kontakt, jeśli potrzebna jest pomoc Obsługa Klienta

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów



Questions

  1. What precursors can be suggested for compatibility with our PECVD system in order to deposit thin films of TiO2?

    1 answer
    1. Typically, a volatile Ti compound such as Titanium(IV) isopropoxide (TTIP), TiCl4, Titanium alkoxides, Ti(acac)4, etc., can be used as the precursor for depositing thin films of TiO2 using a PECVD system. It's important to note that different precursors have different boiling points and may result in different surface structures and morphologies.

      Helpful?

Reviews

No rating value

Active Filters