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Merck

685070

Sigma-Aldrich

Poly-[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-bithiophen]

99.9%

Synonym(e):

F8T2, Poly-(9,9-dioctylfluoren-alt-bithiophen), Poly-[[2,2′-bithiophen]-5,5′-diyl-(9,9-dioctyl-9H-fluoren-2,7-diyl)]

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About This Item

Lineare Formel:
(C37H44S2)n(C8H9)2
CAS-Nummer:
UNSPSC-Code:
12352103
NACRES:
NA.23

Qualitätsniveau

Assay

99.9%

Form

powder

Mol-Gew.

average Mn >20,000

Fluoreszenz

λex 400 nm; λem 497 nm in chloroform (at Mn = 20,000)

Halbleitereigenschaften

P-type (mobility=5×10−3 cm2/V·s)

Allgemeine Beschreibung

F8T2 is a fluorenated semiconducting polymer which can be used as a hole transporting layer with mobility of 0.02cm2V-1s-1. It is highly stable in vacuum and UV based environment. Its liquid crystallinity allows it to form a self-ordered nanostructure on organic thin films.
Typically soluble in THF, Dichloromethane, or Tolune. (c = 1%, typical appearance may be clear to turbid).
Polymer is end-capped with 3,5-dimethylbenzene.

Anwendung

F8T2 can be majorly used in the fabrication of active layers for optoelectronics and energy based devices such as organic field effect transistors(OFETs), solar cells, light emitting diodes(LEDs) and electronic gas sensors.

Lagerklassenschlüssel

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 3

Flammpunkt (°F)

Not applicable

Flammpunkt (°C)

Not applicable


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Accelerating gas adsorption on 3D percolating carbon nanotubes.
Li H, et al.
Scientific Reports, 6(13), 21313-21313 (2016)
Organic/inorganic F8T2/GaN light emitting heterojunction.
Wu YJ, et al.
Organic Electronics, 49(3), 64-68 (2017)
Natalie Stutzmann et al.
Science (New York, N.Y.), 299(5614), 1881-1884 (2003-03-22)
The manufacture of high-performance, conjugated polymer transistor circuits on flexible plastic substrates requires patterning techniques that are capable of defining critical features with submicrometer resolution. We used solid-state embossing to produce polymer field-effect transistors with submicrometer critical features in planar
Morana, M.; Bret, G.; Brabec, C.
Applied Physics Letters, 87, 153511-153511 (2005)
Preparation of active layer of solar cells device by F8T2 blending with PCBM
CPMT Symposium Japan, 2010 IEEE, 3(13), 1-4 (2010)

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