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Merck

666610

Sigma-Aldrich

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV)

packaged for use in deposition systems

Sinónimos:

TDMAH, Tetrakis(dimethylamino)hafnium(IV)

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About This Item

Fórmula lineal:
[(CH3)2N]4Hf
Número de CAS:
Peso molecular:
354.79
MDL number:
UNSPSC Code:
12352103
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

Quality Level

assay

≥99.99% (trace metals analysis)

form

low-melting solid

reaction suitability

core: hafnium

mp

26-29 °C (lit.)

density

1.098 g/mL at 25 °C

SMILES string

CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4

InChI key

ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N

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General description

Alkyl amides of Hafnium provide a convenient and effective atomic layer deposition precursor to smooth and and amorphous hafnium oxide thin films.

Application

Used as precursor for atomic layer deposition of Hafnium Oxide nanolaminates, which are used as a reploacement for Silicon oxide in semiconductor devices.

pictograms

FlameCorrosion

signalword

Danger

Hazard Classifications

Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2

supp_hazards

Storage Class

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

wgk_germany

WGK 3

flash_point_f

109.4 °F - closed cup

flash_point_c

43 °C - closed cup

ppe

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges


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The Savannah ALD System - An Excellent Tool for Atomic Layer Deposition
Monsma D, Becker J
Material Matters, 1(3), 5-5 (2006)
Surface morphology and crystallinity control in the atomic layer deposition (ALD) of hafnium and zirconium oxide thin films
Hausmann DM, Gordon RG
Journal of Crystal Growth, 249, 251-261 (2003)
High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication
Rushworth S
Material Matters, 5(4) null
Applied Physics Letters, 91, 193503-193503 (2007)

Artículos

Atomic Layer Deposition (ALD) technology ensures uniform coating on complex 3D surfaces with precise chemisorption cycles.

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