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Merck

435848

Sigma-Aldrich

Indium(III) fluoride

≥99.9% trace metals basis

Sinónimos:

Trifluoroindigane

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About This Item

Fórmula lineal:
InF3
Número de CAS:
Peso molecular:
171.81
EC Number:
MDL number:
UNSPSC Code:
12352302
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

Quality Level

assay

≥99.9% trace metals basis

form

powder

reaction suitability

reagent type: catalyst
core: indium

impurities

≤1000.0 ppm Trace Metal Analysis

SMILES string

F[In](F)F

InChI

1S/3FH.In/h3*1H;/q;;;+3/p-3

InChI key

JNLSTWIBJFIVHZ-UHFFFAOYSA-K

General description

Indium(III) fluoride is a white crystalline solid with a relatively high melting point. It is a wide band gap semiconductor suitable for optoelectronic applications. Non-oxide glasses are made using indium(III) fluoride.

Application

Indium(III) fluoride can be used:
  • As a precursor to prepare indium oxide thin films for various applications.
  • To fabricate Pr3+/Er3+ co-doped glasses for white light emission.
  • For surface fluorination treatment of Indium-based quantum dots to enhance their photoluminescence quantum yield.
  • As an electrolyte additive for Li-metal batteries to enhance theircycling performance.

pictograms

Exclamation mark

signalword

Warning

Hazard Classifications

Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3

target_organs

Respiratory system

supp_hazards

Storage Class

11 - Combustible Solids

wgk_germany

WGK 3

flash_point_f

Not applicable

flash_point_c

Not applicable

ppe

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


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White light emission and energy transfer in Pr3+/Er3+ co-doped InF3-based glass
Joanna Pisarska, et al.
Materials Research Bulletin, 150, 111791-111791 (2022)
Eur. J. Solid State Inorg. Chem., 33, 879-879 (1996)
Trap Passivation in Indium-Based Quantum Dots through Surface Fluorination: Mechanism and Applications
Tae-Gon Kim, et al.
ACS Nano, 12, 11529-11540 (2018)
Nitrile Electrolyte Strategy for 4.9 V-Class Lithium-Metal Batteries Operating in Flame
Hyunseok Moon, et al.
Energy & Environmental Science, 6, e12383-e12383 (2023)
Loh T-P. et al.
Synlett, 369-369 (1998)

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