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等級
electronic grade
蒸汽密度
1.1 (vs air)
化驗
≥99.998%
形狀
gas
電阻係數
>1000 Ω-cm
雜質
<1 ppm Carbon dioxide (CO2)
<1 ppm Carbon monoxide (CO)
<1 ppm Chlorosilanes
<1 ppm THC
<1 ppm Trisilane (Si3H8)
<1 ppm Water (H2O)
<100 ppm Hydrogen (H2)
<2 ppm Nitrogen (N2)
<2 ppm Siloxanes
<5 ppm Disilane (Si2H6)
bp
−112 °C (lit.)
mp
−185 °C (lit.)
轉變溫度
critical temperature −3.4 °C
密度
1.114 g/mL at 25 °C (lit.)
SMILES 字串
[SiH4]
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應用
将硅烷用于无定形硅、外延硅和硅基电介质的沉积。可利用 SiH4-SiF2-H2 气体混合物通过远程等离子体化学气相沉积 (RPCVD) 在硅晶片和玻璃基底上沉积多晶薄膜。硅烷在形成 III-IV 半导体材料时广泛用作掺杂剂。
推薦產品
建议使用不锈钢调节器 Z527416 或 Z527424。
訊號詞
Danger
危險聲明
危險分類
Flam. Gas 1A - Press. Gas Compr. Gas
儲存類別代碼
2A - Gases
水污染物質分類(WGK)
WGK 1
閃點(°F)
Not applicable
閃點(°C)
Not applicable
個人防護裝備
Eyeshields, Faceshields, Gloves, multi-purpose combination respirator cartridge (US)
Thin Solid Films, 288, 147-147 (1996)
Structural and electrical properties of low temperature polycrystalline silicon deposited using SiF4?SiH4?H2
Thin Solid Films, 289, 227-227 (1996)
Thin Solid Films, 296, 7-7 (1997)
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