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Merck

333891

Sigma-Aldrich

硅烷

≥99.998%, electronic grade

别名:

四氢化硅

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About This Item

线性分子式:
SiH4
CAS号:
分子量:
32.12
EC號碼:
MDL號碼:
分類程式碼代碼:
12352300
PubChem物質ID:

等級

electronic grade

蒸汽密度

1.1 (vs air)

化驗

≥99.998%

形狀

gas

電阻係數

>1000 Ω-cm

雜質

<1 ppm Carbon dioxide (CO2)
<1 ppm Carbon monoxide (CO)
<1 ppm Chlorosilanes
<1 ppm THC
<1 ppm Trisilane (Si3H8)
<1 ppm Water (H2O)
<100 ppm Hydrogen (H2)
<2 ppm Nitrogen (N2)
<2 ppm Siloxanes
<5 ppm Disilane (Si2H6)

bp

−112 °C (lit.)

mp

−185 °C (lit.)

轉變溫度

critical temperature −3.4 °C

密度

1.114 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES 字串

[SiH4]

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應用

将硅烷用于无定形硅、外延硅和硅基电介质的沉积。可利用 SiH4-SiF2-H2 气体混合物通过远程等离子体化学气相沉积 (RPCVD) 在硅晶片和玻璃基底上沉积多晶薄膜。硅烷在形成 III-IV 半导体材料时广泛用作掺杂剂。

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建议使用不锈钢调节器 Z527416 或 Z527424。

象形圖

FlameGas cylinder

訊號詞

Danger

危險聲明

危險分類

Flam. Gas 1A - Press. Gas Compr. Gas

儲存類別代碼

2A - Gases

水污染物質分類(WGK)

WGK 1

閃點(°F)

Not applicable

閃點(°C)

Not applicable

個人防護裝備

Eyeshields, Faceshields, Gloves, multi-purpose combination respirator cartridge (US)


分析证书(COA)

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Hu, C. C.
Thin Solid Films, 288, 147-147 (1996)
Structural and electrical properties of low temperature polycrystalline silicon deposited using SiF4?SiH4?H2
Jin Jang
Thin Solid Films, 289, 227-227 (1996)
Quinn, L.J.
Thin Solid Films, 296, 7-7 (1997)

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