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Indium(III) phosphide
pieces, 3-20 mesh, 99.998% trace metals basis
Synonyme(s) :
Indium monophosphide, Indium phosphide
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About This Item
Formule linéaire :
InP
Numéro CAS:
Poids moléculaire :
145.79
Numéro CE :
Numéro MDL:
Code UNSPSC :
12352300
ID de substance PubChem :
Nomenclature NACRES :
NA.23
Produits recommandés
Niveau de qualité
Essai
99.998% trace metals basis
Forme
pieces
Pertinence de la réaction
reagent type: catalyst
core: indium
Taille des particules
3-20 mesh
Chaîne SMILES
P#[In]
InChI
1S/In.P
Clé InChI
GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N
Mention d'avertissement
Danger
Mentions de danger
Conseils de prudence
Classification des risques
Carc. 1B - Repr. 2 - STOT RE 1
Code de la classe de stockage
6.1C - Combustible acute toxic Cat.3 / toxic compounds or compounds which causing chronic effects
Classe de danger pour l'eau (WGK)
WGK 3
Point d'éclair (°F)
Not applicable
Point d'éclair (°C)
Not applicable
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Wenyong Liu et al.
Journal of the American Chemical Society, 135(4), 1349-1357 (2012-12-27)
In this work, we synthesized InP and InAs nanocrystals (NCs) capped with different inorganic ligands, including various molecular metal chalcogenide complexes (MCCs) and chalcogenide ions. We found that MCCs and chalcogenide ions can quantitatively displace organic ligands from the surface
Hidetaka Asoh et al.
Nanotechnology, 23(21), 215304-215304 (2012-05-04)
To fabricate ordered geometric patterns consisting of InP nanoporous structures, a photoresist mask with periodic opening arrays was prepared by sphere photolithography. The diameter and interval of the openings of the photoresist mask could be controlled independently by adjusting the
Lorenzo Romeo et al.
Nano letters, 12(9), 4490-4494 (2012-08-02)
Very robust voltage-controlled spin transitions in few-electron quantum dots are demonstrated. Two lateral-gate electrodes patterned on opposite sides of an InAs/InP nanowire are used to apply a transverse electric field and tune orbital energy separation down to level-pair degeneracy. Transport
Martin Hjort et al.
ACS nano, 6(11), 9679-9689 (2012-10-16)
Using both synchrotron-based photoemission electron microscopy/spectroscopy and scanning tunneling microscopy/spectroscopy, we obtain a complete picture of the surface composition, morphology, and electronic structure of InP nanowires. Characterization is done at all relevant length scales from micrometer to nanometer. We investigate
Vasilis Katopodis et al.
Optics express, 20(27), 28538-28543 (2012-12-25)
We demonstrate the first integrated transmitter for serial 100 Gb/s NRZ-OOK modulation in datacom and telecom applications. The transmitter relies on the use of an electro-optic polymer modulator and the hybrid integration of an InP laser diode and InP-DHBT electronics
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