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217069

Sigma-Aldrich

Hexamethyldisilane

98%

Synonyme(s) :

Permethyldisilane, Trimethyl(trimethylsilyl)silane

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About This Item

Formule linéaire :
(Si(CH3)3)2
Numéro CAS:
Poids moléculaire :
146.38
Numéro Beilstein :
1633463
Numéro CE :
Numéro MDL:
Code UNSPSC :
12352103
ID de substance PubChem :
Nomenclature NACRES :
NA.23

Niveau de qualité

Pureté

98%

Forme

liquid

Indice de réfraction

n20/D 1.422 (lit.)

Point d'ébullition

112-114 °C (lit.)

Pf

9-12 °C (lit.)

Densité

0.715 g/mL at 25 °C (lit.)

Chaîne SMILES 

C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C

InChI

1S/C6H18Si2/c1-7(2,3)8(4,5)6/h1-6H3

Clé InChI

NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N

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Application

Silylating reagent for allylic acetates, aryl halides, and diketones. Source material for vapor deposition during silicon carbide growth.
Source material for vapor deposition during silicon carbide growth.

Pictogrammes

FlameExclamation mark

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

Classification des risques

Eye Irrit. 2 - Flam. Liq. 2 - Skin Sens. 1 - STOT SE 3

Organes cibles

Respiratory system

Code de la classe de stockage

3 - Flammable liquids

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

21.2 °F

Point d'éclair (°C)

-6 °C

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type ABEK (EN14387) respirator filter


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Thin Solid Films, 252, 13-13 (1994)
The Journal of Organic Chemistry, 58, 3607-3607 (1993)
Journal of Organometallic Chemistry, 446, 135-135 (1993)
Thin Solid Films, 252, 13-13 (1994)
Chemistry Letters (Jpn), 2, 315-315 (1993)

Articles

atomic layer deposition (ALD), microelectronics, Mo:Al2O3 films, nanocomposite coating, photovoltaics, semiconductor devices, W:Al2O3 films, composite films, layer-by-layer

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