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Merck

441643

Sigma-Aldrich

3-Fluorophenylboronic acid

≥95.0%

Sinónimos:

(3-Fluorophenyl-1-yl)boronic acid, 3-Fluorobenzeneboronic acid, m-Fluorophenylboronic acid, m-fluoro-Benzeneboronic acid

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About This Item

Fórmula lineal:
FC6H4B(OH)2
Número de CAS:
Peso molecular:
139.92
Beilstein/REAXYS Number:
3030632
MDL number:
UNSPSC Code:
12352103
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.22

Quality Level

assay

≥95.0%

mp

214-218 °C (lit.)

SMILES string

OB(O)c1cccc(F)c1

InChI

1S/C6H6BFO2/c8-6-3-1-2-5(4-6)7(9)10/h1-4,9-10H

InChI key

KNXQDJCZSVHEIW-UHFFFAOYSA-N

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Categorías relacionadas

Application

Recently used to make novel liquid crystalline fluorobiphenylcyclohexenes and difluoroterphenyls by palladium-catalyzed cross-couplings also used in the synthesis of o-phenylphenols as potent leukotriene B4 receptor agonists.

Other Notes

Contains varying amounts of anhydride

pictograms

CorrosionExclamation mark

signalword

Danger

hcodes

Hazard Classifications

Eye Dam. 1 - Skin Corr. 1B - STOT SE 3

target_organs

Respiratory system

Storage Class

8A - Combustible corrosive hazardous materials

wgk_germany

WGK 3

ppe

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


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Journal of Materials Chemistry, 5, 2239-2239 (1995)
o-phenylphenols: potent and orally active leukotriene B4 receptor antagonists.
M J Sofia et al.
Journal of medicinal chemistry, 36(24), 3978-3981 (1993-11-26)
Liq. Cryst., 18, 1-1 (1995)
Chihiro Takei et al.
Chemical & pharmaceutical bulletin, 66(4), 368-374 (2018-04-03)
Previous studies have shown that reversible chemical bond formation between phenylboronic acid (PBA) and 1,3-diol can be utilized as the driving force for the preparation of layer-by-layer (LbL) films. The LbL films composed of a PBA-appended polymer and poly(vinyl alcohol)
Mikhail Y Vorona et al.
Materials (Basel, Switzerland), 13(8) (2020-04-26)
Anthracene-based semiconductors have attracted great interest due to their molecular planarity, ambient and thermal stability, tunable frontier molecular orbitals and strong intermolecular interactions that can lead to good device field-effect transistor performance. In this study, we report the synthesis of

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