Saltar al contenido
Merck
Todas las fotos(1)

Documentos clave

Ver Toda la documentación

357286

Sigma-Aldrich

Indium

foil, thickness 0.5 mm, 99.99% trace metals basis

Sinónimos:

Indium element

Iniciar sesiónpara Ver la Fijación de precios por contrato y de la organización
Todas las fotos(1)

About This Item

Fórmula empírica (notación de Hill):
In
Número de CAS:
7440-74-6
Peso molecular:
114.82
Número CE:
231-180-0
Número MDL:
MFCD00134048
Código UNSPSC:
12141719
ID de la sustancia en PubChem:
24861901
NACRES:
NA.23

presión de vapor

<0.01 mmHg ( 25 °C)

Ensayo

99.99% trace metals basis

Formulario

foil

resistividad

8.37 μΩ-cm

grosor

0.5 mm

mp

156.6 °C (lit.)

densidad

7.3 g/mL at 25 °C (lit.)

cadena SMILES

[In]

InChI

1S/In

Clave InChI

APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N

¿Está buscando productos similares? Visita Guía de comparación de productos

Cantidad

9.2 g = 50 × 50 mm; 36.8 g = 100 × 100 mm

Pictogramas

Health hazard
GHS08

Palabra de señalización

Danger

Frases de peligro

H372

Clasificaciones de peligro

STOT RE 1 Inhalation

Órganos de actuación

Lungs

Código de clase de almacenamiento

6.1C - Combustible acute toxic Cat.3 / toxic compounds or compounds which causing chronic effects

Clase de riesgo para el agua (WGK)

WGK 1

Punto de inflamabilidad (°F)

Not applicable

Punto de inflamabilidad (°C)

Not applicable

Equipo de protección personal

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves

Elija entre una de las versiones más recientes:

Certificados de análisis (COA)

Lot/Batch Number
MKCW5497
MKCM5359
MKCK6756
MKBZ3385V
MKBP2387V

¿No ve la versión correcta?

Si necesita una versión concreta, puede buscar un certificado específico por el número de lote.

Busque por un COA

¿Ya tiene este producto?

Encuentre la documentación para los productos que ha comprado recientemente en la Biblioteca de documentos.

Visite la Librería de documentos

Thirumaleshwara N Bhat et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(1), 498-503 (2013-05-08)
The thermal oxidation process of the indium nitride (InN) nanorods (NRs) was studied. The SEM studies reveal that the cracked and burst mechanism for the formation of indium oxide (In2O3) nanostructures by oxidizing the InN NRs at higher temperatures. XRD
Vahid A Akhavan et al.
ChemSusChem, 6(3), 481-486 (2013-02-13)
Thin-film photovoltaic devices (PVs) were prepared by selenization using oleylamine-capped Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) nanocrystals sintered at a high temperature (>500 °C) under Se vapor. The device performance varied significantly with [Ga]/[In+Ga] content in the nanocrystals. The highest power conversion efficiency (PCE) observed
Annick Bay et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A179-A189 (2013-02-15)
In this paper the design, fabrication and characterization of a bioinspired overlayer deposited on a GaN LED is described. The purpose of this overlayer is to improve light extraction into air from the diode's high refractive-index active material. The layer
Dawei Deng et al.
Physical chemistry chemical physics : PCCP, 15(14), 5078-5083 (2013-03-02)
Exploring the synthesis and biomedical applications of biocompatible quantum dots (QDs) is currently one of the fastest growing fields of nanotechnology. Hence, in this work, we present a facile approach to produce water-soluble (cadmium-free) quaternary Zn-Ag-In-S (ZAIS) QDs. Their efficient
Han-Youl Ryu et al.
Optics express, 21 Suppl 1, A190-A200 (2013-02-15)
We investigate the dependence of various efficiencies in GaN-based vertical blue light-emitting diode (LED) structures on the thickness and doping concentration of the n-GaN layer by using numerical simulations. The electrical efficiency (EE) and the internal quantum efficiency (IQE) are
Ver todos los artículos relacionados

Nuestro equipo de científicos tiene experiencia en todas las áreas de investigación: Ciencias de la vida, Ciencia de los materiales, Síntesis química, Cromatografía, Analítica y muchas otras.

Póngase en contacto con el Servicio técnico