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203343

Sigma-Aldrich

Germanium

chips, 99.999% trace metals basis

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About This Item

Fórmula empírica (notación de Hill):
Ge
Número de CAS:
7440-56-4
Peso molecular:
72.64
Número CE:
231-164-3
Número MDL:
MFCD00085310
Código UNSPSC:
12141716
ID de la sustancia en PubChem:
24852164
NACRES:
NA.23

Ensayo

99.999% trace metals basis

Formulario

chips

resistividad

53 Ω-cm, 20°C

tamaño de partícula

≥3 mm

bp

2830 °C (lit.)

mp

937 °C (lit.)

densidad

5.35 g/mL at 25 °C (lit.)

cadena SMILES

[Ge]

InChI

1S/Ge

Clave InChI

GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N

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Categorías relacionadas

Código de clase de almacenamiento

13 - Non Combustible Solids

Clase de riesgo para el agua (WGK)

WGK 3

Punto de inflamabilidad (°F)

Not applicable

Punto de inflamabilidad (°C)

Not applicable

Equipo de protección personal

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves

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Certificados de análisis (COA)

Lot/Batch Number
MKCJ6836
MKCL4163
MKCJ6174
MKCJ2707
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In this paper we investigate the influence of n-type doping in Ge light emitting diodes on Si substrates on the room temperature emission spectrum. The layer structures are grown with a special low temperature molecular beam epitaxy process resulting in
Jin Liu et al.
Dalton transactions (Cambridge, England : 2003), 42(14), 5092-5099 (2013-02-13)
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W Streyer et al.
Optics express, 21(7), 9113-9122 (2013-04-11)
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Miroslav Cerný et al.
Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal, 25(3), 035401-035401 (2012-12-15)
The response of three covalent crystals with a diamond lattice (C, Si and Ge) to uniaxial and a special triaxial (generally nonhydrostatic) loading is calculated from first principles. The lattice deformations are described in terms of variations of bond lengths
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