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725471
Bis(methyl-η5−cyclopentadienyl)methoxymethylzirconium
packaged for use in deposition systems
Synonyme(s) :
ZRCMMM, ZrD-CO4
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About This Item
Formule linéaire :
Zr(CH3C5H4)2CH3OCH3
Poids moléculaire :
295.53
Numéro MDL:
Code UNSPSC :
12352103
ID de substance PubChem :
Nomenclature NACRES :
NA.23
Produits recommandés
Forme
liquid
Pertinence de la réaction
core: zirconium
Couleur
colorless
pb
110 °C/0.5 mmHg (lit.)
Densité
1.27 g/mL±0.01 g/mL at 25 °C (lit.)
Chaîne SMILES
C[C]1[C][C][C][C]1.C[C]2[C][C][C][C]2.C[Zr]OC
InChI
1S/2C6H7.CH3O.CH3.Zr/c2*1-6-4-2-3-5-6;1-2;;/h2*2-5H,1H3;1H3;1H3;/q;;-1;;+1
Clé InChI
LFGIFPGCOXPKMG-UHFFFAOYSA-N
Description générale
Atomic number of base material: 40 Zirconium
Application
Advanced precursor for atomic layer deposition of ZrO2 thin films. Hafnium and zirconium oxides are leading candidates to replace silicion dioxide as the gate oxide in a variety of semiconductor and energy applications.[1] Excellent properties of HfO2 and ZrO2 films make them especially attractive for gate oxide replacement and as potential insulating dielectrics for capacitive elements in memory devices such as DRAM.[2]
Caractéristiques et avantages
Compatible with a variety of oxidants in ALD growth processes across a wide temperature range exhibiting self limiting growth up to 400 °C. Precursor volatility and thermal stability properties enable easy materials transport from bubblers into conventional deposition tools.
Conditionnement
Packaged in stainless steel cylinders compatible with conventional deposition systems. Precursors may be used in liquid injection systems as dilute solutions and in combination with a variety of other sources to deposit mixed oxides.
Mention d'avertissement
Warning
Mentions de danger
Conseils de prudence
Classification des risques
Acute Tox. 4 Oral - Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2
Code de la classe de stockage
10 - Combustible liquids not in Storage Class 3
Classe de danger pour l'eau (WGK)
WGK 3
Point d'éclair (°F)
226.4 °F
Point d'éclair (°C)
108 °C
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J. W. Elama
Applied Physics Letters, 91, 253123-253123 (2007)
Gutsche, M.; Seidl, H.; Luetzen J.; Birner, A.;
International Electron Devices Meeting, 18-18 (2001)
High-k gate dielectrics: current status and material properties considerations
Wilk, G.D.; Wallace, R.M.; Anthony, J.M.
Journal of Applied Physics, 89, 5243-5243 (2001)
Articles
Atomic Layer Deposition (ALD) technology ensures uniform coating on complex 3D surfaces with precise chemisorption cycles.
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High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication
The properties of many devices are limited by the intrinsic properties of the materials that compose them.
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