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Sigma-Aldrich

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV)

packaged for use in deposition systems

Synonyme(s) :

TDMAH, Tetrakis(dimethylamino)hafnium(IV)

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About This Item

Formule linéaire :
[(CH3)2N]4Hf
Numéro CAS:
Poids moléculaire :
354.79
Numéro MDL:
Code UNSPSC :
12352103
ID de substance PubChem :
Nomenclature NACRES :
NA.23

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Niveau de qualité

Essai

≥99.99% (trace metals analysis)

Forme

low-melting solid

Pertinence de la réaction

core: hafnium

Pf

26-29 °C (lit.)

Densité

1.098 g/mL at 25 °C

Chaîne SMILES 

CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4

Clé InChI

ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N

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Description générale

Alkyl amides of Hafnium provide a convenient and effective atomic layer deposition precursor to smooth and and amorphous hafnium oxide thin films.[1][2][3][4]

Application

Used as precursor for atomic layer deposition of Hafnium Oxide nanolaminates, which are used as a reploacement for Silicon oxide in semiconductor devices.[1][2][3][4]

Pictogrammes

FlameCorrosion

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

Classification des risques

Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2

Risques supp

Code de la classe de stockage

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

109.4 °F - closed cup

Point d'éclair (°C)

43 °C - closed cup

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges


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