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Sigma-Aldrich

Bismuth

powder, −100 mesh, 99% trace metals basis

Synonyme(s) :

Bismuth element, Bismuth-209

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About This Item

Formule empirique (notation de Hill):
Bi
Numéro CAS:
7440-69-9
Poids moléculaire :
208.98
Numéro MDL:
MFCD00134033
Code UNSPSC :
12141706
ID de substance PubChem :
24856073
Nomenclature NACRES :
NA.23

Pression de vapeur

<0.1 mmHg ( 20 °C)

Pureté

99% trace metals basis

Forme

powder

Résistivité

129 μΩ-cm, 20°C

Taille des particules

−100 mesh

Point d'ébullition

1560 °C (lit.)

Pf

271 °C (lit.)

Densité

9.8 g/mL at 25 °C (lit.)

Chaîne SMILES 

[Bi]

InChI

1S/Bi

Clé InChI

JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N

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Pictogrammes

Flame
GHS02

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

H228

Classification des risques

Flam. Sol. 1

Code de la classe de stockage

4.1B - Flammable solid hazardous materials

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

Certificats d'analyse (COA)

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Julie Pannequin et al.
The Journal of biological chemistry, 279(4), 2453-2460 (2003-10-08)
Although bismuth salts have been used for over two centuries for the treatment of various gastrointestinal disorders, the mechanism of their therapeutic action remains controversial. Because gastrins bind two trivalent ferric ions with high affinity, and because ferric ions are
Shunbin Lu et al.
Optics express, 21(2), 2072-2082 (2013-02-08)
The third order nonlinear optical property of Bi₂Se₃, a kind of topological insulator (TI), has been investigated under femto-second laser excitation. The open and closed aperture Z-scan measurements were used to unambiguously distinguish the real and imaginary part of the
Jia-Tao Sun et al.
Physical review letters, 109(24), 246804-246804 (2013-02-02)
Scanning tunnelling microscopy and spectroscopy experiments complemented by first-principles calculations have been conducted to study the electronic structure of 4 monolayer Bi(110) nanoribbons on epitaxial graphene on silicon carbide [4H-SiC(0001)]. In contrast with the semimetal property of elemental bismuth, an
B Arnaud et al.
Physical review letters, 110(1), 016405-016405 (2013-02-07)
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