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MilliporeSigma
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Sigma-Aldrich

t-DABNA

≥99% (HPLC)

Synonyme(s) :

2,12-Di-tert-butyl-5,9-bis(4-(tert-butyl)phenyl)-5,9-dihydro-5,9-diaza-13b-boranaphtho[3,2,1-de]anthracene

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About This Item

Formule empirique (notation de Hill):
C46H53BN2
Numéro CAS:
1802003-07-1
Poids moléculaire :
644.74
Code UNSPSC :
12352005
Nomenclature NACRES :
NA.23

Qualité

sublimed grade

Niveau de qualité

100

Pureté

≥99% (HPLC)

Bande interdite

2.7 eV, HOMO-LUMO gap

energy gap

0.17 eV, delta EST

Température de transition

transition temp 418.7 °C (Td by TGA)

Solubilité

methylene chloride: soluble

λmax

445 nm in dichloromethane

Énergie orbitale

HOMO -5.72 eV 
LUMO -3.02 eV 

Catégories apparentées

Application

Recent advancement in boron-based efficient and pure blue thermally activated delayed fluorescence materials for organic light emitting diodes. This is a sublimed high purity material, used as TADF Blue Dopant, with a EQE of 25.1%.
t-DABNA can be used as a host material or as a hole-blocking material in the emissive layer of OLED devices. Its high triplet energy level and other properties can contribute to efficient exciton management and improved device performance. It can also be used in studies on organic photovoltaic (OPV) devices and organic field-effect transistors (OFETs).

Code de la classe de stockage

11 - Combustible Solids

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

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Hyuna Lee et al.
Frontiers in chemistry, 8, 373-373 (2020-06-09)
In the last few years, electron-deficient materials have been actively researched for application in organic light-emitting diode (OLED) as dopant and electron-transporting materials. The boron-containing materials are interesting as they give good emissive properties in solid state with an electron-accepting
Ideal blue thermally activated delayed fluorescent emission assisted by a thermally activated delayed fluorescent assistant dopant through a fast reverse intersystem crossing mediated cascade energy transfer process.
Han H S, et al.
Journal of Material Chemistry C, 7, 3082-3089 (2019)

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