Accéder au contenu
MilliporeSigma
Toutes les photos(1)

Principaux documents

Voir toute la documentation

647705

Sigma-Aldrich

Silicon

wafer, <111>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.3 mm

Synonyme(s) :

Silicon element

Se connecterpour consulter vos tarifs contractuels et ceux de votre entreprise/organisme

Sélectionner une taille de conditionnement

1 EA
198,00 $

198,00 $

Veuillez contacter notre Service Clients pour connaître la disponibilité de ce produit.
Devis pour commande en gros
Toutes les photos(1)

Sélectionner une taille de conditionnement

Changer de vue
1 EA
198,00 $

About This Item

Formule linéaire :
Si
Numéro CAS:
7440-21-3
Poids moléculaire :
28.09
Numéro MDL:
MFCD00085311
Code UNSPSC :
12352300
ID de substance PubChem :
24883420
Nomenclature NACRES :
NA.23

198,00 $

Veuillez contacter notre Service Clients pour connaître la disponibilité de ce produit.
Devis pour commande en gros

Forme

crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer

Niveau de qualité

100

Contient

boron as dopant

Diam. × épaisseur

2 in. × 0.3 mm

pb

2355 °C (lit.)

Pf

1410 °C (lit.)

Densité

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

Propriétés du semi-conducteur

<111>, P-type

Chaîne SMILES 

[Si]

InChI

1S/Si

Clé InChI

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

Vous recherchez des produits similaires ? Visite Guide de comparaison des produits

Catégories apparentées

Propriétés physiques

0 vortex defects. Etch pitch density (EPD) < 100 (cm-2). Resistivity 10-3 - 40 Ωcm
Oxygen content: <= 1~1.8 x 1018 /cm3; Carbon content: <= 5 x 1016 /cm3; Boule diameter: 1~8 ″

Code de la classe de stockage

13 - Non Combustible Solids

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 2

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

Faites votre choix parmi les versions les plus récentes :

Certificats d'analyse (COA)

Lot/Batch Number
MKCL1888
MKCH9674
MKCD3690
MKBX1011V
MKBV5800V

Vous ne trouvez pas la bonne version ?

Si vous avez besoin d'une version particulière, vous pouvez rechercher un certificat spécifique par le numéro de lot.

Rechercher un(e) COA

Déjà en possession de ce produit ?

Retrouvez la documentation relative aux produits que vous avez récemment achetés dans la Bibliothèque de documents.

Consulter la Bibliothèque de documents

Les clients ont également consulté

Slide 1 of 3

1 of 3

Silicon dioxide single crystal substrate, optical grade, 99.99% trace metals basis, L × W × thickness 10&#160;mm × 10&#160;mm × 0.5&#160;mm

Sigma-Aldrich

634867

Silicon dioxide

Gold coated silicon wafer 99.999% (Au), layer thickness 1000&#160;Å, 99.99% (Ti)

Sigma-Aldrich

643262

Gold coated silicon wafer

Silicon pieces, 99.95% trace metals basis

Sigma-Aldrich

343250

Silicon

Chengyong Li et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(3), 2272-2275 (2013-06-13)
Mesoporous Si-C-O fibers were fabricated by air activation of a kind of carbon-rich SiC-C fibers at 600 degrees C. The SiC-C fibers were prepared from the hybrid precursor of polycarbosilane and pitch through melt-spinning, air curing and pyrolysis in nitrogen.
Bo-Soon Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3622-3626 (2013-07-19)
A subwavelength structure (SWS) was formed via a simple chemical wet etching using a gold (Au) catalyst. Single nano-sized Au particles were fabricated by metallic self-aggregation. The deposition and thermal annealing of the thin metallic film were carried out. Thermal
Min Joon Huang et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(6), 3810-3817 (2013-07-19)
In this work, we demonstrated a silicon nanowire (SiNW) biosensing platform capable of simultaneously identifying different Dengue serotypes on a single sensing chip. Four peptide nucleic acids (PNAs), specific to each Dengue serotypes (DENV-1 to DENV-4), were spotted on different
Jaewoo Lee et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3495-3499 (2013-07-19)
A spin-casting process for fabricating polycrystalline silicon sheets for use as solar cell wafers is proposed, and the parameters that control the sheet thickness are investigated. A numerical study of the fluidity of molten silicon indicates that the formation of
Youngin Jeon et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3350-3353 (2013-07-19)
Si-nanowire (NW)-array-based NOT-logic circuits were constructed on plastic substrates. The Si-NW arrays were fabricated on a Si wafer through top-down methods, including conventional photolithography and crystallographic wet etching, and transferred onto the plastic substrates. Two field-effect transistors were fabricated on
Afficher tous les articles scientifiques apparentés

Articles

Synthesis of Melting Gels Using Mono-Substituted and Di-Substituted Alkoxysiloxanes

Hybrid organic-inorganic sol-gel materials containing silica were first called “ORMOSILs” in 1984.

Protocoles

Negative Photoresist Procedure

Photoresist kit offers pre-weighed chemical components for lithographic processes, with separate etchants for various substrate choices.

Questions

Reviews

No rating value

Active Filters

Notre équipe de scientifiques dispose d'une expérience dans tous les secteurs de la recherche, notamment en sciences de la vie, science des matériaux, synthèse chimique, chromatographie, analyse et dans de nombreux autres domaines..

Contacter notre Service technique