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Sigma-Aldrich

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV)

≥99.99%

Synonyme(s) :

TDMAH, Tetrakis(dimethylamino)hafnium(IV)

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About This Item

Formule linéaire :
[(CH3)2N]4Hf
Numéro CAS:
19782-68-4
Poids moléculaire :
354.79
Numéro MDL:
MFCD01862473
Code UNSPSC :
12352103
ID de substance PubChem :
24869038
Nomenclature NACRES :
NA.23

Pureté

≥99.99%

Forme

low-melting solid

Pertinence de la réaction

core: hafnium

Pf

26-29 °C (lit.)

Densité

1.098 g/mL at 25 °C

Chaîne SMILES 

CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4

Clé InChI

ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N

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Description générale

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV) is an organometallic compound consisting of a central hafnium atom (Hf) surrounded by four dimethylamido ligands (NMe2). It is commonly used as a CVD/ALD precursor to produce high-quality Hf thin films. It is a solid with low melting point.

Application

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV) can be used:
  • As an atomic layer deposition(ALD) precursor for deposition of hafnium oxide thin films for advanced semiconductor devices.
  • As a precursor to fabricate polymer-derived ceramic nanocomposites.
  • To prepare HfO2, CeO2, and Ce-doped HfO2 thin films on Ge substrates by using tris(isopropyl-cyclopentadienyl)cerium [Ce(iPrCp)3] precursors with H2O via ALD method.
  • To produce Hf3N4 thin films with TDMAH and ammonia at low substrate temperatures at 150−250 °C.

Remarque sur l'analyse

Purity excludes ~2000 ppm Zr.

À utiliser avec

Réf. du produit
Description
Tarif

Pictogrammes

FlameCorrosion
GHS02,GHS05

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

H228,H261,H314

Classification des risques

Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2

Risques supp

EUH014

Code de la classe de stockage

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges

Certificats d'analyse (COA)

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J. Eur. Ceram. Soc., 35, 2007-2015 (2015)
Atomic layer deposition of CeO2/HfO2 gate dielectrics on Ge substrate
Wan Joo Maeng, et al.
Applied Surface Science, 321, 214-218 (2014)
Tetrakis(dimethylamido)hafnium Adsorption and Reaction on Hydrogen Terminated Si(100) Surfaces
Kejing Li, et al.
The Journal of Physical Chemistry C, 114, 14061-14075 (2010)
Electrical characterization of atomic-layer-deposited hafnium oxide films from hafnium tetrakis (dimethylamide) and water/ozone: Effects of growth temperature, oxygen source, and postdeposition annealing
Hector Garcia, et al.
Journal of Vacuum Science & Technology. A, Vacuum, Surfaces, And Films, 31 (2013)

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