SIBN4W
Boron Nitride on SiO2/Si Substrate
SIBN4W
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About This Item
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Description
die layer thickness 300 nm SiO2
die layer thickness 36 nm boron nitride
Fabricant/nom de marque
SIBN4W
Diamètre
4 in. , wafer
die thickness
525 μm , silicon
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