Accéder au contenu
Merck
Toutes les photos(1)

Documents

647802

Sigma-Aldrich

Silicon

wafer (single side polished), <100>, N-type, contains phosphorus as dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm

Synonyme(s) :

Silicon element

Se connecterpour consulter vos tarifs contractuels et ceux de votre entreprise/organisme
Toutes les photos(1)

About This Item

Formule linéaire :
Si
Numéro CAS:
7440-21-3
Poids moléculaire :
28.09
Numéro MDL:
MFCD00085311
Code UNSPSC :
12352300
ID de substance PubChem :
24883552
Nomenclature NACRES :
NA.23

Forme

crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)

Niveau de qualité

100

Contient

phosphorus as dopant

Diam. × épaisseur

3 in. × 0.5 mm

Point d'ébullition

2355 °C (lit.)

Pf

1240 °C
1410 °C (lit.)

Densité

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

Propriétés du semi-conducteur

<100>, N-type

Chaîne SMILES 

[Si]

InChI

1S/Si

Clé InChI

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

Vous recherchez des produits similaires ? Visite Guide de comparaison des produits

Catégories apparentées

Propriétés physiques

0 vortex defects. Etch pitch density (EPD) < 100 (cm-2). Resistivity 10-1 Ωcm
Oxygen content: <= 1~1.8 x 1018 /cm3; Carbon content: <= 5 x 1016 /cm3; Boule diameter: 1~8 ″

Code de la classe de stockage

13 - Non Combustible Solids

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 2

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

Certificats d'analyse (COA)

Recherchez un Certificats d'analyse (COA) en saisissant le numéro de lot du produit. Les numéros de lot figurent sur l'étiquette du produit après les mots "Lot" ou "Batch".

Déjà en possession de ce produit ?

Retrouvez la documentation relative aux produits que vous avez récemment achetés dans la Bibliothèque de documents.

Consulter la Bibliothèque de documents

Les clients ont également consulté

Slide 1 of 1

1 of 1

Gold coated silicon wafer 99.999% (Au), layer thickness 1000&#160;Å, 99.99% (Ti)

Sigma-Aldrich

643262

Gold coated silicon wafer

Pil Ju Ko et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(4), 2451-2460 (2013-06-15)
The physical properties of porous materials are being exploited for a wide range of applications including optical biosensors, waveguides, gas sensors, micro capacitors, and solar cells. Here, we review the fast, easy and inexpensive electrochemical anodization based fabrication porous silicon
Hyunhui Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3559-3563 (2013-07-19)
Silicon sheets were fabricated by a new fabricating method, spin casting with various rotation speeds of the graphite mold. The microstructure of spin-cast silicon sheets were investigated using an electron probe microanalyzer (EPMA) and scanning electron microscope/electron backscatter diffraction/orientation image
Youngin Jeon et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3350-3353 (2013-07-19)
Si-nanowire (NW)-array-based NOT-logic circuits were constructed on plastic substrates. The Si-NW arrays were fabricated on a Si wafer through top-down methods, including conventional photolithography and crystallographic wet etching, and transferred onto the plastic substrates. Two field-effect transistors were fabricated on
Jae Cheol Shin et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3511-3514 (2013-07-19)
We have characterized the structural properties of the ternary In(x)Ga(1-x)As nanowires (NWs) grown on silicon (Si) substrates using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Au catalyzed vapor-liquid-solid (VLS) mode was used for the NW growth. The density of the In(x)Ga(1-x)As NW
Chengyong Li et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(3), 2272-2275 (2013-06-13)
Mesoporous Si-C-O fibers were fabricated by air activation of a kind of carbon-rich SiC-C fibers at 600 degrees C. The SiC-C fibers were prepared from the hybrid precursor of polycarbosilane and pitch through melt-spinning, air curing and pyrolysis in nitrogen.
Afficher tous les articles scientifiques apparentés

Notre équipe de scientifiques dispose d'une expérience dans tous les secteurs de la recherche, notamment en sciences de la vie, science des matériaux, synthèse chimique, chromatographie, analyse et dans de nombreux autres domaines..

Contacter notre Service technique