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Sigma-Aldrich

Silicon carbide

-200 mesh particle size

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About This Item

Formule linéaire :
SiC
Numéro CAS:
409-21-2
Poids moléculaire :
40.10
Numéro CE :
206-991-8
Numéro MDL:
MFCD00049531
Code UNSPSC :
12352300
ID de substance PubChem :
24863541
Nomenclature NACRES :
NA.23

Forme

powder

Taille des particules

-200 mesh

Pf

2700 °C (lit.)

Densité

3.22 g/mL at 25 °C (lit.)

Chaîne SMILES 

[C-]#[Si+]

InChI

1S/CSi/c1-2

Clé InChI

HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N

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Description générale

Silicon carbide (SiC) is a semiconductor based material that consists of a closed packed stacking of double layers of silicon and carbon. It has an excellent thermo-mechanical property that makes it useful in a variety of electronic and optoelectronic applications.

Application

SiC is majorly used as a base material for applications such as micro-structures, opto-electronic devices(OLEDs), UV detectors, high temperature electronics (nuclear electronics), high frequency devices

Code de la classe de stockage

11 - Combustible Solids

Classe de danger pour l'eau (WGK)

nwg

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

Équipement de protection individuelle

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves

Certificats d'analyse (COA)

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Properties of silicon carbide (1995)
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IEEE Transactions on Power Electronics, 29(5), 2606-2617 (2013)
Development of SiC-Si composites with fine-grained SiC microstructures
Wilhelm M, et al.
J. Eur. Ceram. Soc., 19(12), 2155-2163 (1999)
Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices and applications (2014)
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