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MilliporeSigma

647675

Sigma-Aldrich

Silicon

wafer (single side polished), <100>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm

Sinónimos:

Silicon element

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About This Item

Fórmula lineal:
Si
Número de CAS:
Peso molecular:
28.09
Número MDL:
Código UNSPSC:
12352300
ID de la sustancia en PubChem:
NACRES:
NA.23

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Formulario

crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)

contiene

boron as dopant

diám. × grosor

2 in. × 0.5 mm

bp

2355 °C (lit.)

mp

1410 °C (lit.)

densidad

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

propiedades de los semiconductores

<100>, P-type

cadena SMILES

[Si]

InChI

1S/Si

Clave InChI

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

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Aplicación

<100> Silicon wafer may be used as a substrate for the epitaxial growth of SiC,[1] and TiN[2] thin films.

Envase

1EA refers to 1 wafer and 5EA refers to 5 wafers

Propiedades físicas

0 vortex defects. Etch pitch density (EPD) < 100 (cm-2). Resistivity 10-3 - 40 Ω•cm
Oxygen content: <= 1~1.8 x 1018 /cm3; Carbon content: <= 5 x 1016 /cm3; Boule diameter: 1~8 ″

Código de clase de almacenamiento

13 - Non Combustible Solids

Clase de riesgo para el agua (WGK)

nwg

Punto de inflamabilidad (°F)

Not applicable

Punto de inflamabilidad (°C)

Not applicable

Equipo de protección personal

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


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Epitaxial growth of 3C?SiC films on 4 in. diam (100) silicon wafers by atmospheric pressure chemical vapor deposition.
Zorman CA, et al.
Journal of Applied Physics, 78(8), 193-198 (2014)
Epitaxial growth of TiN films on (100) silicon substrates by laser physical vapor deposition.
Narayan J, et al.
Applied Physics Letters, 61(11), 1290-1292 (1992)
Chengyong Li et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(3), 2272-2275 (2013-06-13)
Mesoporous Si-C-O fibers were fabricated by air activation of a kind of carbon-rich SiC-C fibers at 600 degrees C. The SiC-C fibers were prepared from the hybrid precursor of polycarbosilane and pitch through melt-spinning, air curing and pyrolysis in nitrogen.
Bo-Soon Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3622-3626 (2013-07-19)
A subwavelength structure (SWS) was formed via a simple chemical wet etching using a gold (Au) catalyst. Single nano-sized Au particles were fabricated by metallic self-aggregation. The deposition and thermal annealing of the thin metallic film were carried out. Thermal
Hyunhui Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3559-3563 (2013-07-19)
Silicon sheets were fabricated by a new fabricating method, spin casting with various rotation speeds of the graphite mold. The microstructure of spin-cast silicon sheets were investigated using an electron probe microanalyzer (EPMA) and scanning electron microscope/electron backscatter diffraction/orientation image

Artículos

Synthesis of Melting Gels Using Mono-Substituted and Di-Substituted Alkoxysiloxanes

Protocolos

Photoresist kit offers pre-weighed chemical components for lithographic processes, with separate etchants for various substrate choices.

Questions

  1. sheet resistance of 647675 of silicon

    1 answer
    1. The resistivity for this product is 10-3 - 40 Ω•cm as listed in the DESCRIPTION section under 'Physical Properties'.

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